[实用新型]一种半导体激光器腔面钝化装置

权利要求书

1.一种半导体激光器的腔面钝化装置，其特征在于，包括：

真空室，具有真空环境，其中容纳有半导体激光器巴条；

气体源，与所述真空室连接，并向所述真空室中通入预定流量和比例的氢气和氮气混合气；

霍尔离子源，与所述真空室连接，将所述氢气和氮气混合气形成等离子体，以对所述半导体激光器巴条的腔面进行离子钝化处理；

镀膜设备，与所述真空室连接，在离子钝化处理后的所述半导体激光器巴条的腔面上镀设一层阻挡层。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢气和氮气混合气中的氢气与氮气比例在1:4至1:20之间。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述阻挡层为非氧化物层。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述半导体激光器巴条放置在所述霍尔离子源工作的有效区域内，需要进行镀膜的所述半导体激光器巴条的腔面对着所述霍尔离子源方向。