[实用新型]一种基于外延技术的三维集成功率半导体有效
| 申请号： | 201320029728.8 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN203225250U | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 傅兴华;马奎;杨发顺;林洁馨 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 外延 技术 三维 集成 功率 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于外延技术的三维集成功率半导体，其特征在于：所述集成功率半导体从下至上依次包括重掺杂N型硅片、第一层轻掺杂N型外延层、第二层轻掺杂N型外延层和第三层轻掺杂N型外延层，第二层轻掺杂N型外延层和第三层轻掺杂N型外延层之间包含P_bulk层，P_bulk层上方的第三层轻掺杂N型外延层中包含PBL、P_sink区和N_sink区，第二、三层轻掺杂N型外延层中有填充槽，槽内为填充介质。
2.根据权利要求1所述的一种基于外延技术的三维集成功率半导体，其特征在于：填充槽内为SiO2或SiO2和多晶硅的叠合结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
