[实用新型]一种集成功率放大器级间信号耦合电路

权利要求书

1.一种集成功率放大器级间信号耦合电路，其特征在于，所述电路包括：第一级放大器、第一变压器以及第二级放大器，所述第一变压器连接在所述第一级放大器的输出端与所述第二级放大器的输入端之间，所述第一级放大器和所述第二级放大器通过所述第一变压器实现信号耦合。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一变压器包括：

第一初级线圈，与所述第一级放大器的输出端连接；

第一次级线圈，与所述第二级放大器的输入端连接。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一级放大器包括电容、第一MOS管以及第二MOS管，所述电容一端与所述第一MOS管的栅极连接，另一端与信号输入端连接，所述第一MOS管漏极与所述第二MOS管源极连接，所述第一MOS管的源极接地，所述第二MOS管漏极为所述第一级放大器的输出端，所述信号输入端为所述第一级放大器的输入端。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第二级放大器包括第三MOS管、第四MOS管以及电感，所述第三MOS管漏极与所述第四MOS管源极连接，所述第三MOS管的源极接地，所述第四MOS管的源极与所述电感的一端连接，所述电感的另一端与第一参考电压连接，所述第三MOS管的栅极为所述第二级放大器的输入端。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一初级线圈的异名端与所述第二MOS管漏极连接，所述第一初级线圈的同名端与所述第一参考电压连接，所述第一次级线圈的异名端与所述第三MOS管的偏置电压连接，所述第一次级线圈的同名端与所述第三MOS管的栅极连接。

6.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一级放大器包括第二变压器、第一MOS管以及第二MOS管，所述第一MOS管漏极与所述第二MOS管源极连接，所述第一MOS管的源极接地，所述第二MOS管漏极为所述第一级放大器的输出端，所述第二变压器连接在所述信号输入端与所述第一MOS管的栅极之间。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第二变压器包括：

第二初级线圈，与所述信号输入端连接；

第二次级线圈，与所述第一MOS管的栅极连接。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第二初级线圈的同名端与第二参考电压连接，所述第二初级线圈的异名端与所述信号输入端连接，所述第二次级线圈的同名端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第二次级线圈的异名端与所述第一MOS管的偏置电压连接。

9.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一级放大器包括第三变压器、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管以及第八MOS管，所述第三变压器的初级线圈的同名端与信号输入端连接，所述第三变压器的初级线圈的异名端接地，所述第五MOS管的栅极与所述第三变压器的次级线圈的同名端连接，所述第六MOS管的栅极与所述第三变压器的次级线圈的异名端连接，所述第五MOS管和所述第六MOS管的源极接地，所述第五MOS管的漏极与所述第七MOS管的源极连接，所述第六MOS管的漏极与所述第八MOS管的源极连接，所述第七MOS管和所述第八MOS管的漏极为所述第一放大器的输出端，所述第七MOS管的漏极与所述第一初级线圈的同名端连接，所述第八MOS管的漏极与所述第一初级线圈的异名端连接。

10.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二级放大器包括第四变压器、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管以及第十二MOS管，所述第九MOS管和所述第十MOS管的栅极为所述第二放大器的输入端，所述第九MOS管的栅极与所述第一次级线圈的同名端连接，所述第十MOS管与所述第一次级线圈的异名端连接，所述第九MOS管和所述第十MOS管的源极接地，所述第九MOS管的漏极与所述第十一MOS管的源极连接，所述第十MOS管的漏极与所述第十二MOS管的源极连接，所述第十一MOS管的漏极与所述第四变压器初级线圈的同名端连接，所述第十二MOS管的漏极与所述第四变压器初级线圈的异名端连接，所述第四变压器次级线圈的异名端接地，所述第四变压器次级线圈的同名端为所述第二级放大器的输出端。