[实用新型]一种具有低饱和电压和电流限制开关的电荷泵电路

权利要求书

1.一种具有低饱和电压和电流限制开关的电荷泵电路，其特征是：电源端连接到一个电压源V_CC，接地端连接到接地电位，第一电容与所述电源端和所述接地端之间的第一、第二开关装置串联连接，第二电容与所述第一开关装置和所述第一电容并联连接的第三开关装置，所述第一个开关装置、所述第一电容的共同端子和所述接地端之间的第四和第五个开关装置串联连接，第三电容与所述接地电位及所述第一开关装置和所述第一电容的共同端子之间的第六开关装置串联连接，一个连接到正电压终端(+2V_CC)的所述第三电容和所述第六开关装置的共同端子，第四电容与所述接地电位及所述第二电容与所述第五开关装置的共同端子之间的第七开关装置串联连接，所述第四电容和所述第七开关装置的共同端子连接到一个负电压终端(-2V_CC)，还有一个与所述第二电容和所述第五开关装置并联连接的第八开关装置，从而所述第一，第二，第七和第八开关装置的关闭在第一运行阶段产生一个电压V_CC通过所述第一电容，且所述第三，第四，第五和第六开关装置的关闭在第二运行阶段将电压+2V_CC转移至所述第二和第三电容，且在随后的第一运行阶段电压-2V_CC被转移至所述第四电容。 

2.根据权利要求1所述的一种具有低饱和电压和电流限制开关的电荷泵电路，其特征是：所述第三开关装置包括一个具有基极、集电极和发射极的双极晶体管，且包括偏置电路，它将所述正电压+2V_CC与所述双极型晶体管的基极互相连接，从而所述双极型晶体管有一个低饱和电压。 

3.根据权利要求2所述的一种具有低饱和电压和电流限制开关的电荷泵电路，其特征是：所述双极型晶体管包括一个双发射极晶体管，其中一个发射极连接至所述偏置电路，从而所述晶体管的饱和限制基极驱动，且导致所述晶体管限流。 

4.根据权利要求3所述的一种具有低饱和电压和电流限制开关的电荷泵电路，其特征是：所述电路包括一个集成电路和一些分立的电容。 

5.根据权利要求1所述的一种具有低饱和电压和电流限制开关的电荷泵电路，其特征是：所述第一开关装置包括一个肖特基二极管，所述第二开关装置包括一个双极型晶体管，所述第四开关装置包括一个双极型晶体管，所述第五开关装置包括一个双极型晶体管，所述第六开关装置包括一个肖特基二极管，所述第七开关装置包括一个肖特基二极管，且所述第八开关装置包括一个肖特基二极管。 

6.根据权利要求1所述的一种具有低饱和电压和电流限制开关的电荷泵电路，其特征是：在一个电荷泵电路中，通过将所述第一电容的电压终端与一个电压源连接来产生电压V_CC通过第一电容，且利用所述电压源给所述第一电容充电至2V_CC的双倍，且通过使用一个双发射极双极型晶体管开关，将所述第一电容终端与所述电压源反向连接，该电压被转移至第二电容，所述双极型晶体管有一个基极，一个集电极和两个发射极。 

7.根据权利要求6所述的一种具有低饱和电压和电流限制开关的电荷泵电路，其特征是：所述第一开关装置包括一个肖特基二极管所述双发射极双极型晶体管是一个双发射极NPN晶体管，所述提供偏置电路的步骤包括提供一个PNP双极型晶体管和一个PNP双极型晶体管，它们都有一个基极、集电极和发射极，所述PNP晶体管的发射极和所述偏置电路中的NPN晶体管的集电极连接在一起来接收电压2V_CC，所述PNP晶体管的集电极连接到所述NPN晶体管的基极，所述NPN晶体管的发射极连接到与所述NPN晶体管和所述PNP晶体管的集电极连接的所述双发射极双极型晶体管的基极。