[实用新型]一种液晶面板母板及液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201320033645.6 申请日: 2013-01-22
公开(公告)号: CN203259748U 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 陈俊生 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1339 分类号: G02F1/1339;G02F1/1333
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 蒋雅洁;武晨燕
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 液晶面板 母板 液晶显示器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及液晶显示技术,尤其涉及一种液晶面板母板及液晶显示器。 

背景技术

液晶显示器中包含有阵列(Array)基板和彩膜(CF)基板,阵列基板和CF基板需要对盒以构成液晶显示器。对盒过程中运输以及翻转时,阵列基板和CF基板的对位容易发生偏移,而阵列基板和CF基板在对盒之后又不能进行自动对位校正,如此,就会导致液晶显示器出现如混色和漏光等显示品质不良的现象。 

对于采用面内开关(IPS,In Plane Switching)/边缘场效应开关(FFS,Fringe Field Switching)的液晶显示器来说,对盒之后,液晶显示器还会出现对盒精度范围(Assembly Margin,Asy’Margin)超标,更易于出现显示品质不良的现象。 

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型的主要目的在于提供一种液晶面板母板及液晶显示器,以解决由于阵列基板和CF基板的对位发生偏移而导致显示品质不良的问题。 

为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的: 

本实用新型公开了一种液晶面板母板,所述液晶面板母板包括阵列基板和彩膜基板;其中,所述阵列基板上设置有第一凸起物,所述彩膜基板上设置第二凸起物,所述第一凸起物与所述第二凸起物呈铆合结构。 

优选的,所述阵列基板上设置有至少两个所述第一凸起物,各所述第一凸起物顶部间距为Asy’Margin的两倍;所述彩膜基板上对应各第一凸起物之间空隙的位置上设置有所述第二凸起物。 

优选的,所述彩膜基板上设置有至少两个所述第二凸起物,各所述第二凸起物顶部间距为Asy’Margin的两倍;所述阵列基板上对应各第二凸起物之间空隙的位置上设置有所述第一凸起物。 

优选的,所述第一凸起物为金属材料或树脂材料。 

进一步的,所述第一凸起物包括三层金属,最底层金属与所述阵列基板上的栅极金属层相同,中间层金属与有源极金属层相同,最上层金属与源漏极金属层相同。 

优选的,所述第二凸起物为树脂材料或聚碳酸酯材料。 

优选的,所述第一凸起物为长条状,横截面为正梯形;所述第二凸起物为长条状,横界面为倒梯形。 

优选的,所述第一凸起物的高度为1~2微米。 

优选的,所述第二凸起物的高度为2.5~4.5微米。 

本实用新型还公开了一种液晶显示器,所述液晶显示器包括液晶面板母板;其中,所述液晶面板母板为上述任意一种液晶面板母板。 

本实用新型在阵列基板和CF基板上分别设置凸起物,并通过凸起物使得阵列基板与CF基板铆合,不仅增加了对位精度,有效防止对位之后的偏移;而且,对位之后便于阵列基板与CF基板之间进行自动对位校正,解决了由于阵列基板和CF基板的对位发生偏移而导致显示品质不良的问题,从而提高了液晶显示器的显示品质。 

附图说明

图1为本实用新型实施例一中液晶面板母板的组成结构示意图; 

图2为本实用新型实施例一中第一凸起物的结构示意图; 

图3为本实用新型实施例二中液晶面板母板的组成结构示意图; 

图4为本实用新型实施例三中液晶显示器的组成结构示意图; 

附图标记说明 

1、阵列基板;2、CF基板;3、第一凸起物;4、第二凸起物。 

具体实施方式

本实用新型的基本思想是:在阵列基板和CF基板上分别设置有凸起物,并通过凸起物进行铆合,以增加对位精度和防止对位之后的偏移。 

实施例一 

本实施例提供的一种液晶面板母板,其结构如图1所示,所述液晶面板母板包括阵列基板1和CF基板2,其中,在阵列基板上设置至少两个第一凸起物3,该第一凸起物3为长条状,横截面为正梯形,各第一凸起物3顶部的间距为对盒精度范围的两倍;相应的,在CF基板上对应各第一凸起物3之间空隙的位置上设置第二凸起物4,该第二凸起物4也为长条状,横截面为倒梯形,所述第二凸起物4与所述第一凸起物3呈铆合结构。 

所述第一凸起物3的高度为1~2微米,可以是任何具有一定硬度足以支撑玻璃基板的材料,如可以是树脂材料、金属材料等。 

特别的,可以在沉积形成栅极、源漏极时同时沉积形成该第一凸起物3。具体地,如图2所示,所述第一凸起物3包括三层金属,最底层金属与阵列基板上的栅极(Gate)金属层相同,中间层金属与有源极(Active)金属层相同,最上层金属与源漏极(S/D)金属层相同。 

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