[实用新型]一种薄膜晶体管结构、液晶面板和液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201320035599.3 申请日: 2013-01-23
公开(公告)号: CN203103311U 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 曾志远 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/06
代理公司: 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 代理人: 邢涛
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 结构 液晶面板 液晶 显示装置
【权利要求书】:

一种薄膜晶体管结构,包括第一金属层,所述第一金属层上设有绝缘层,其特征在于,所述绝缘层表面覆盖有第二金属层,所述第二金属层在所述第一金属层正上方对应区域设有缺口,所述绝缘层在所述缺口对应区域设有凹槽,所述第二金属层、缺口和凹槽表面覆盖有氧化铟镓锌材质的有源层。 

如权利要求1所述的一种薄膜晶体管结构,其特征在于,所述凹槽与所述缺口的形状一致。 

如权利要求2所述的一种薄膜晶体管结构,其特征在于,所述第二金属层以缺口为界,缺口一端形成薄膜晶体管的源极金属层,缺口另一端形成薄膜晶体管的漏极金属层;所述有源层包括与源极金属层接触的第一区;与漏极金属层接触的第二区;铺设在所述凹槽表面的第三区,铺设在所述源极金属层一侧缺口的侧壁、连接第一区和第三区的第四区;铺设在所述缺口的另一侧壁、连接第二区和第三区的第五区。 

如权利要求2所述的一种薄膜晶体管结构,其特征在于,所述凹槽的深度为所述绝缘层最大厚度的0.1%~60%。 

如权利要求4所述的一种薄膜晶体管结构,其特征在于,所述凹槽的深度为所述绝缘层最大厚度的0.2%~50%。 

如权利要求1~5任一所述的一种薄膜晶体管结构,其特征在于,所述第二金属层及有源层表面覆盖有配向层。 

权利要求6所述的一种薄膜晶体管结构,其特征在于,所述配向层表面覆盖有透明电极。 

如权利要求1所述的一种薄膜晶体管结构,其特征在于,所述凹槽与所述缺口的形状一致;所述第二金属层以缺口为界,缺口一端形成薄膜晶体管的源极金属层,缺口另一端形成薄膜晶体管的漏极金属层;所述有源层包括与源极金属层接触的第一区;与漏极金属层接触的第二区;铺设在所述凹槽表面的第三区,铺设在所述源极金属层一侧缺口的侧壁、连接第一区和第三区的第四区;铺设在所述缺口的另一侧壁、连接第二区和第三区的第五区;所述凹槽的深度为所述绝缘层最大厚度的0.1%~60%; 所述第二金属层及有源层表面覆盖有配向层;所述配向层在漏极金属层表面覆盖有透明电极。 

一种液晶面板,包括如权利要求1~8任一所述的一种薄膜晶体管结构。 

一种液晶显示装置,包括如权利要求9所述的一种液晶面板。 

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