[实用新型]一种防逆流电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路设计领域，具体涉及一种防逆流电路。 

背景技术

电子设备中广泛使用电池作为主电源或者备用电源，直流电源提供充电的同时也与电池一起并联对主电路直接供电，这样存在多路电源同时供电情况。多路电源同时存在由于各路输出电压不相同，输出电压高的电源会对输出电压低的电源产生倒灌，电压低的电源形成反向的逆向电流，当压差超出一定范围时，会损坏电源。 

最为传统的防逆流是采用二极管隔离方式，二极管单向导通性能很好地防止输出电压对输入电压产生作用。但二极管存在压降而带来的各种不便，不适合用于应用要求比较高的场合。 

第二种较为常用的方案是采用金属氧化物半导体（Metal Oxide Semiconductor，简称MOS）场效应管作为开关电路，特别是在低压降电压稳压器（low dropout regulator，简称LDO）中。在这种方案中，MOS管衬底单独接出，需采用多个开关电路切换防止正偏，控制起来极其复杂，且通常MOS管衬底是与源极接在一起无法进行控制。另一方面，输入输出需要采用电压比较器实现，电压比较器需要额外的电源供电，实现起来较为复杂。 

发明内容

从而本实用新型提供了一种防逆流电路，用于在多路电源存在时，实现逆流保护。 

本实用新型所提供的一种防逆流电路，包括： 

串联的第一MOS器件和第二MOS器件，以及与所述第一MOS器件和第二MOS器件连接的开关控制电路； 

其中，所述第一MOS器件的源极与漏极中的一个极与所述第二MOS器件的源极与漏极中的一个极连接，所述第一MOS器件的衬底与电压输入端连接，所述第二MOS器件的衬底与电压输出端连接； 

当所述电压输出端的电压高于所述电压输入端的电压时，所述第一MOS 器件和第二MOS器件截止；当所述电压输出端的电压低于所述电压输入端的电压时，所述第一MOS器件和第二MOS器件导通。 

进一步地，所述开关控制电路分别与使能控制端和所述电压输出端连接，且所述开关控制电路包括开关控制器和电压比较器，进而所述开关控制器分别与所述第一MOS器件的栅极和所述第二MOS器件的栅极连接，所述电压比较器分别与所述第一MOS器件的栅极和第二MOS器件的栅极连接，所述电压比较器还与所述电压输出端连接。 

进一步地，所述开关控制器可为PNP三极管，进而所述PNP三极管的基极与所述使能控制端连接，所述PNP三极管的集电极与所述第一MOS器件的栅极和所述第二MOS器件的栅极连接。 

进一步地，所述电压比较器可为PNP三极管，进而所述PNP三极管的集电极与所述第一MOS器件的栅极和第二MOS器件的栅极连接，所述PNP三极管的基极与所述电压输入端连接，所述PNP三极管的发射极与所述电压输出端连接。 

从以上技术方案可以看出，本实用新型具有以下优点： 

本实用新型采用串联的第一MOS器件和第二MOS器件，即第一MOS器件的源极与漏极中的一极和第二MOS器件的源极与漏极中的一极连接，并加以利用MOS器件的源极和漏极可互换，可以消除MOS器件衬底二极管正偏产生的影响，防止逆流。所述第一MOS器件和第二MOS器件与开关控制电路连接，所述第一MOS器件的衬底与电压输入端连接，所述第二MOS器件的衬底与电压输出端连接，当所述电压输出端的电压低于所述电压输入端的电压时，所述第一MOS器件和第二MOS器件导通；当所述电压输出端的电压高于所述电压输入端的电压时，所述第一MOS器件和第二MOS器件截止，有效防止产生逆流倒灌电流。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面将对本实用新型中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为本实用新型防逆流电路中防逆流电路示意图； 

图2为本实用新型防逆流电路的结构示意图； 

图3为本实用新型防逆流电路的应用示意图。 

具体实施方式

下面将结合本实用新型的附图，对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。