[实用新型]电容式触摸屏传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及触摸屏技术，具体涉及一种电容式触摸屏传感器。

背景技术

在传统的单侧氧化铟锡（SITO，Single ITO）电容触摸屏传感器（Sensor）中，采用SiO₂或SiN_x作为绝缘层时，大面积刻蚀容易造成绝缘层残留。为了避免绝缘层残留对传感器功能产生影响，电容式触摸屏传感器一般采用大面积绝缘层隔开第二横向导电层与第二纵向导电层。图1及图2为现有常用的电容式触摸屏传感器的平面图及剖面图。如图1及图2所示，电容式触摸屏传感器的结构由下至上包括基板10、位于基板10表面的第一导电层11、位于第一导电层11及基板10上的第一绝缘层（SiO₂/SiN_x）12、位于第一绝缘层12及第一导电层11上的第二导电层（ITO）13及位于第二导电层13及第一绝缘层12上的第二绝缘层（SiO₂/SiN_x）14，其中，第二导电层13包括第二横向导电层（ITO-X）13A及第二纵向导电层（ITO-Y）13B，第二横向导电层13A与第二纵向导电层13B通过第二绝缘层14隔开，第二纵向导电层13B直接导通，第二横向导电层13A通过金属/ITO（氧化铟锡）桥进行连接，第一导电层11与第二横向导电层13A之间通过第一绝缘层12上的过孔15连通。

从图1及图2看出，现有常用的电容式触摸屏传感器的结构中，第一绝缘层几乎覆盖了基板上除过孔外的所有区域，再加上最外层的第二绝缘层，使得电容式触摸屏传感器的大部分区域的膜层厚度较厚，从而使触摸屏传感器整体的透过率较低，若采用SiN_x作为第一绝缘层，则触摸屏将具有较深的颜色。

图3及图4为理论上透过率较高的电容式触摸屏传感器的平面图及剖面图。如图3及图4所示，理论上透过率较高的电容式触摸屏传感器自下而上包括基板20、位于基板20表面的第一导电层21、位于第一导电层21上的第一绝缘层22、位于第一绝缘层22、第一导电层21及基板20上的第二导电层23及位于第二导电层23及第一绝缘层22上的第二绝缘层24，其中，第二导电层23包括第二横向导电层23A与第二纵向导电层23B，第二纵向导电层23B直接导通，理论上透过率较高的电容式触摸屏传感器与现有常用的电容式触摸屏传感器的区别在于，理论上透过率较高的电容式触摸屏传感器的第一绝缘层22上没有过孔，第一导电层21与第二纵向导电层23B直接连接，第二横向导电层23A通过金属桥进行连接，第一绝缘层22的覆盖区域面积较小（仅覆盖第一导电层11的部分区域），从而减小了触摸屏传感器大部分区域的膜层厚度，提高了触摸屏传感器整体的透过率，也避免了采用SiN_x作为第一绝缘层时触摸屏具有较深颜色的问题，但由于第一绝缘层的覆盖面积较小，导致第一绝缘层的刻蚀工艺难度加大，较难进行量产，且由于第一绝缘层仅覆盖第一导电层的部分区域，也使得刻蚀第一绝缘层时容易将第一导电层刻蚀，使产品的合格率降低，同时第一导电层也不能得到第一绝缘层的充分保护，从而对产品的质量产生影响。

因此，如何提供一种透过率较高且容易实现工业生产的电容式触摸屏传感器成为本领域亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种电容式触摸屏传感器，减少电容式触摸屏传感器的绝缘层的覆盖面积，提高透过率，且利于实现工业生产。

为了达到上述目的，本实用新型提供一种电容式触摸屏传感器，所述电容式触摸屏传感器包括：

基板，

位于基板表面的第一导电层，

位于所述第一导电层及所述基板上的第一绝缘层，

位于所述第一绝缘层、所述第一导电层及所述基板上的第二导电层，以及

位于所述第二导电层及所述第一绝缘层上的第二绝缘层；

其中，所述第一绝缘层上设有过孔，所述第二导电层与所述第一导电层通过所述过孔连通，所述第一绝缘层设置为至少覆盖所述第一导电层上除所述过孔之外的所有区域，且覆盖部分基板表面。

进一步地，所述第二导电层包括第二横向导电层及第二纵向导电层，所述第二横向导电层或所述第二纵向导电层通过所述过孔与所述第一导电层连通。

进一步地，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层的材料为SiN_x或SiO₂。