[实用新型]用于OLED显示屏的像素结构及其金属掩膜板及OLED显示屏有效
申请号: | 201320037991.1 | 申请日: | 2013-01-24 |
公开(公告)号: | CN203260585U | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 彭兆基;邱勇;张伸福 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 oled 显示屏 像素 结构 及其 金属 掩膜板 | ||
1.一种用于OLED显示屏的像素结构,其包括多行像素单元组,每个所述像素单元组包括依次重复排列的多个像素单元;每个所述像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;其特征在于:
相邻两行的所述像素单元中的相同子像素沿水平方向呈错位排列。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:
每个所述像素单元中的所述第二子像素及第三子像素沿所述第一子像素的其中一边排成一列;
偶数行所述像素单元组中的所述像素单元按照奇数行的所述像素单元组的像素单元水平翻转180度形成其所述第一、第二、第三子像素的排列方式。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:
每个所述像素单元中的所述第二子像素及第三子像素沿所述第一子像素的其中一边排成一列;
偶数行所述像素单元组对于奇数行的所述像素单元组沿水平方向平移一第一距离排列。
4.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于:
偶数行所述像素单元组对于奇数行的所述像素单元组沿水平方向向左平移一第二距离排列或向右平移一第三距离排列。
5.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:
每个所述像素单元中的第一子像素、第二子像素、第三子像素按照一定的顺序排列;
奇数行的所述像素单元的子像素的排列顺序与偶数行的所述像素单元中的子像素的排列顺序不同。
6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:
每个所述像素单元中的第一子像素、第二子像素、第三子像素依次并排排列;
偶数行所述像素单元组对于奇数行的所述像素单元组沿水平方向平移一第一距离排列。
7.根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于:
偶数行所述像素单元组对于奇数行的所述像素单元组沿水平方向向左平移一第二距离或向右平移一第三距离排列。
8.根据权利要求2-7之一所述的像素结构,其特征在于:
所述第一子像素、第二子像素和第三子像素为矩形。
9.根据权利要求8所述的像素结构,其特征在于:
所述像素单元为正方形;
所述第一子像素为长方形;
所述第二子像素和第三子像素沿所述第一子像素的长边上下排列;
所述第一子像素的长边长度大于所述像素单元边长的三分之二。
10. 根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于:
所述第一子像素的面积大于所述第二子像素和第三子像素的面积,且小于所述像素单元面积的一半。
11. 根据权利要求10所述的像素结构,其特征在于:
所述第一子像素的面积为所述第二子像素和第三子像素中至少一个子像素面积的两倍。
12. 根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于:
所述第二或第三子像素的面积大于其余两个子像素的面积。
13. 根据权利要求12所述的像素结构,其特征在于:
所述第二或第三子像素的面积为其余两个子像素中至少一个子像素的面积的2倍。
14. 根据权利要求3或6所述的像素结构,其特征在于:
所述沿水平方向平移的第一距离的范围为使得相邻两行之间的相同子像素沿水平方向错位排列。
15. 根据权利要求4或7所述的像素结构,其特征在于:
所述向左平移的第二距离或向右平移的第三距离使得相邻两行之间的相同子像素沿水平方向错位排列。
16.根据权利要求1、3、4、6、或7所述的像素结构,其特征在于:
偶数行的所述像素单元与奇数行的所述像素单元中第一子像素之间沿水平方向错位的范围使得偶数行的第一子像素与其相邻奇数行的相邻两个第一子像素的距离相等。
17. 根据权利要求10所述的像素结构,其特征在于:所述第一子像素为蓝色像素。
18. 根据权利要求17所述的像素结构,其特征在于:所述第二子像素为红色像素,所述第三子像素为绿色像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的