[实用新型]射频用陶瓷电容器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种射频用陶瓷电容器，属于射频用电容技术领域。

背景技术

近年来，伴随着携带电话等移动机器的普及、作为个人电脑等的主要部件的半导体元件的高速化及高频化，对于搭载于此种电了机器中的叠层陶瓷电容器，为了满足作为旁通电容器的特性，小型、高容量化的要求不断提高。但存在以下技术问题：

现有射频用陶瓷电容器，陶瓷电容器体积较大，提高电容量会导致占用电子产品的较大的空间，因此在减小器件体积时增加电容量成为技术难点，且现有射频用电容的馈入点及接地点设置在固定的位置，故在将天线安装至电路板时，只能安装于电路板特定位置，不能灵活设置；

其次，普通陶瓷电容由于其同时具有高硬度的特性，所以质脆，机加工难度大，同时由于其表面平整，不易通过电镀实现层间导通也难于与其它层有效结合形成多层电路板。因此，如何解决上述技术问题，成为本领域普通技术人员努力的方向。因此，如何解决上述技术问题，成为本领域普通技术人员努力的方向。

发明内容

本实用新型目的是提供一种射频用陶瓷电容器，该射频用陶瓷电容器减小器件体积时增加了电容量，从而有利于器件小型化，提高了产品的可靠性和良率；且便于陶瓷电容器机械加工。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种射频用陶瓷电容器，包括氮化铝基片和氧化铝基片，此氮化铝基片和氧化铝基片之间夹有具有位于同一平面的第一U型导电层、第二U型导电层，此第一U型导电层和第二U型导电层之间电隔离，所述第一U型导电层、第二U型导电层均包括两个侧电极和连接两个侧电极底端的底电极；所述第一U型导电层的一个侧电极嵌入由第二U型导电层的侧电极和底电极形成的凹槽区内；两个第一金属柱依次贯通所述氮化铝基片、第一U型导电层和氧化铝基片，两个第二金属柱依次贯通所述氮化铝基片、第二U型导电层和氧化铝基片；所述氮化铝基片表面上并位于第一金属柱、第二金属柱一端贴覆有用于与电路板电接触的金属贴片，所述氧化铝基片表面上并位于第一金属柱、第二金属柱另一端贴覆有用于与电路板电接触的金属贴片。

上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：

作为优选，所述氮化铝基片和氧化铝基片的厚度比为1：1.2~1.5。

作为优选，所述氮化铝基片和氧化铝基片形状为矩形。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果：

本实用新型射频用陶瓷电容器板，其第一U型导电层、第二U型导电层均包括两个侧电极和连接两个侧电极底端的底电极；所述第一U型导电层的一个侧电极嵌入由第二U型导电层的侧电极和底电极形成的凹槽区内，减小器件体积时增加了电容量，从而有利于器件小型化，提高了产品的可靠性和良率；其次，陶瓷烧结体由氮化铝基片和氧化铝基片组成，此氮化铝基片的下表面和氧化铝基片的上表面之间具有一金属图形层，具有高品质因数，从而降低了高频损耗，且具有稳定的温度系数，也便于机械加工。

附图说明

附图1为本实用新型射频用陶瓷电容器板中间层结构示意图；

附图2为本实用新型射频用陶瓷电容器板截面结构示意图。

以上附图中：1、氮化铝基片；2、氧化铝基片；3、第一U型导电层；4、第二U型导电层；5、侧电极；6、底电极；7、凹槽区；8、第一金属柱；9、第二金属柱；10、金属贴片。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例1：一种射频用陶瓷电容器，包括氮化铝基片1和氧化铝基片2，此氮化铝基片1和氧化铝基片2之间夹有具有位于同一平面的第一U型导电层3、第二U型导电层4，此第一U型导电层3和第二U型导电层4之间电隔离，所述第一U型导电层3、第二U型导电层4均包括两个侧电极5和连接两个侧电极5底端的底电极6；所述第一U型导电层3的一个侧电极5嵌入由第二U型导电层4的侧电极5和底电极6形成的凹槽区7内；两个第一金属柱8依次贯通所述氮化铝基片1、第一U型导电层3和氧化铝基片2，两个第二金属柱9依次贯通所述氮化铝基片1、第二U型导电层4和氧化铝基片2；所述氮化铝基片1表面上并位于第一金属柱8、第二金属柱9一端贴覆有用于与电路板电接触的金属贴片10，所述氧化铝基片2表面上并位于第一金属柱8、第二金属柱9另一端贴覆有用于与电路板电接触的金属贴片10。