[实用新型]半桥补偿驱动装置和电子产品有效

专利信息
申请号: 201320040791.1 申请日: 2013-01-23
公开(公告)号: CN203057098U 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 陈小阳 申请(专利权)人: 何立立
主分类号: H03K17/56 分类号: H03K17/56;F04D27/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 535300 广西壮族*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 补偿 驱动 装置 电子产品
【权利要求书】:

1.一种半桥补偿驱动装置,其特征在于,包括:第一线圈连接端、第二线圈连接端、电源输入端(VCC)、第一外接芯片半桥信号输入端、第二外接芯片半桥信号输入、第一三极管(T1)和第二三极管(T2);

所述第一外接芯片半桥信号输入端分别与所述第一三极管(T1)的集电极、所述第二三极管(T2)的集电极及所述第二外接芯片半桥信号输入连接;

所述第一三极管(T1)的基极与所述第二三极管(T2)的集电极连接;所述第一三极管(T1)的集电极接地;所述第一三极管(T1)的发射极与所述电源输入端连接;

所述第二三极管(T2)的基极与所述第一三极管(T1)的集电极连接;所述第二三极管(T2)的发射极与所述电源输入端连接;

所述第一三极管(T1)的集电极与所述第一线圈连接端连接,所述第二三极管(T2)的集电极与所述第二线圈连接端连接。

2.根据权利要求1所述的半桥补偿驱动装置,其特征在于,所述半桥补偿驱动装置还包括第一电阻(R1),所述第二三极管(T2)的基极通过所述第一电阻(R1)与所述第一三极管(T1)的集电极连接。

3.根据权利要求1所述的半桥补偿驱动装置,其特征在于,所述半桥补偿驱动装置还包括第二电阻(R2),所述第一三极管(T1)的基极通过所述第二电阻(R2)与所述第二三极管(T2)的集电极连接。

4.根据权利要求1所述的半桥补偿驱动装置,其特征在于,所述半桥补偿驱动装置还包括第一二极管(D1)和第二二极管(D2),所述第一三极管(T1)的发射集通过所述第一二极管(D1)与所述第一三极管(T1)的集电极连接;所述第二三极管(T2)的发射集通过所述第二二极管(D2)与所述第二三极管(T2)的集电极连接。

5.根据权利要求1所述的半桥补偿驱动装置,其特征在于,所述半桥补偿驱动装置还包括稳压管(ZD),所述第一外接芯片半桥信号输入端通过所述稳压管(ZD)接地。

6.根据权利要求1所述的半桥补偿驱动装置,其特征在于,所述半桥补偿驱动装置还包括第三电阻(R3)和电容(C1),所述第一外接芯片半桥信号输入端依次通过所述第三电阻(R3)和电容(C1)接地。

7.一种电子产品,包括半桥驱动芯片(U1)和半桥补偿驱动装置,其特征在于,所述半桥补偿驱动装置是权利要求1至6中任一项所述的半桥补偿驱动装置,所述半桥驱动芯片(U1)的一个半桥信号输出端与所述半桥补偿驱动装置的所述第一外接芯片半桥信号输入端连接,所述半桥驱动芯片(U1)的另一个半桥信号输出端与所述半桥补偿驱动装置的所述第二外接芯片半桥信号输入连接。

8.根据权利要求7所述的电子产品,其特征在于,所述电子产品是风扇。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于何立立,未经何立立许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320040791.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top