[实用新型]一种阵列基板及液晶显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示装置。 

背景技术

薄膜场效应晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）由于其具有体积小、功耗低、无辐射等优点，是较为理想的显示设备。近年来，TFT-LCD在显示领域的应用范围逐步扩大，相关的技术也发展迅速。 

在现有技术中，高级超维场转换技术ADS（Advanced Super Dimension Switch）型TFT-LCD主要通过五次构图工艺来完成，其中，薄膜场效应晶体管TFT沟道的形成须使用灰色调掩模板。但是，在实际应用中发现，使用灰色调掩模板形成TFT沟道图案可控性差，工艺性能不稳定，产品良品率低。 

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种阵列基板及液晶显示装置该阵列基板具有同步形成的TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极，产品的良品率高。 

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的： 

本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括一基板，所述基板上形成有纵横交叉的栅电极线、数据线和像素单元，每个所述像素单元包括薄膜场效应晶体管TFT开关和像素电极，所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层；所述像素电极、栅电极线、数据线、源电极和漏电极同步形成于所述基板上；所述源电极与所述数据线连接；所述漏电极的部分区域形成于所述像素电极之上，该区域与所述像素电极连接；所述半导体层形成于所述源电极和 所述漏电极之间，并与所述源电极和所述漏电极连接；所述半导体层上方形成有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述基板；所述栅电极形成于所述栅极绝缘层之上，所述栅电极通过贯穿所述栅极绝缘层的过孔与所述栅电极线连接。 

优选的，还包括公共电极线，所述公共电极线形成于所述基板上，与所述栅电极线、数据线、源电极和漏电极为同层设置且同步形成。 

优选的，还包括公共电极，所述公共电极形成于所述栅极绝缘层之上；所述公共电极通过贯穿所述栅极绝缘层的过孔与所述公共电极线连接。 

优选的，所述公共电极与所述栅电极为同层设置且同步形成。 

优选的，所述半导体层包括非晶硅半导体层和掺杂非晶硅半导体层，所述非晶硅半导体层位于所述掺杂非晶硅半导体层的下方。 

优选的，所述半导体层包括氧化物层，所述氧化物层为铟氧化物层、锌氧化物层、锡氧化物层或铟镓锌氧化物层中的任一种。 

本实用新型实施例提供一种液晶显示装置，包括如上所述的阵列基板。 

本实用新型实施例有益效果如下：阵列基板具有在的同一层且同步形成的TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极，源电极和漏电极之间形成有半导体层，由于本实用新型只进行一次绝缘层形成和刻蚀，可以使公共电极与像素电极之间的绝缘层的厚度可控，工艺性能稳定；且不需要灰色调掩膜板，减少了工艺步骤，节约工艺制作时间和成本。 

附图说明

图1为本实用新型实施例一所述阵列基板的局部俯视示意图； 

图2为本实用新型实施例一所述阵列基板根据图1中的AA′处剖面的展开剖面示意图（BB′部分省略）； 

图3A至图3D为本实用新型实施例四所述阵列基板分步制作的局部示意图。 

具体实施方式

下面结合说明书附图对本实用新型实施例的实现过程进行详细说明。 

本实用新型实施例一提供一种阵列基板，如图1所示阵列基板的俯视图的局部示意图，为了清晰示出阵列基板的各个组成部分，部件间重叠的部分同样以实线示出。该阵列基板包括一基板1，基板1上形成有纵横交叉的栅电极线2、数据线3和像素单元（像素单元未在图1中进行标号），每个像素单元包括薄膜场效应晶体管TFT开关5和像素电极6，TFT开关5包括栅电极51、源电极52、漏电极53和半导体层54； 

像素电极6、栅电极线2、数据线3、源电极52和漏电极53形成于基板上1；源电极52与数据线3连接；漏电极53的部分区域形成于像素电极6之上，该区域与像素电极6连接；半导体层54形成于源电极52和漏电极53之间，并与源电极52和漏电极53连接；半导体层54上方形成有栅极绝缘层7（栅极绝缘层7在图1中未示出），栅极绝缘层7覆盖基板1；栅电极51形成于栅极绝缘层7之上，栅电极51通过贯穿栅极绝缘层7的过孔10与栅电极线2连接。 

为了更清楚的说明以上结构，由图1中所示AA′处进行剖面，从而得于如图2所示的展开剖面示意图（省略图1中所示的BB′处剖面），其中包括栅极绝缘层7，栅极绝缘层7覆盖基板1。