[实用新型]一种IGBT模块

说明书

技术领域

本实用新型涉及功率模块领域，尤其涉及一种IGBT模块。

背景技术

目前的IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)模块，特别是车用IGBT模块主要包括三个导电单元，用于导通三相交流电，而导电单元需要与控制端子连接，然后通过控制端子来控制导电单元的导通或断开，每个导电单元包括两个IGBT芯片，分别对应上下桥，即控制端子与对应的IGBT芯片电连接。在现有技术中，将控制端子通过超声波键合在陶瓷基覆板即DBC的IGBT芯片上后，控制端子的引出端位于导电单元之间，然后需要用环氧塑封材料将控制端子完完全全包裹住，IGBT芯片位于所述框体1内的DBC中，从而形成与所述框体1一体的横梁2，因此将控制端子完完全全包裹住，从而造成使用较多的环氧塑封材料，不仅不利于模块的成本降低，而且使得模块的制造工艺复杂化。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，从而提供了一种IGBT模块，不仅可以降低模块的制造成本，还可以简化模块的制造工艺。

为解决上述技术问题，本实用新型提供如下技术方案：

一种IGBT模块，所述IGBT模块包括：至少一控制端子、至少一IGBT芯片、具有横梁的框体、以及固定于框体底面且与横梁的底面固定连接的陶瓷基覆板，所述陶瓷基覆板通过横梁划分为至少两个容纳区域，每个IGBT芯片固定于对应容纳区域的陶瓷基覆板上，所述横梁上设有至少一个凹槽，所述控制端子固定于所述凹槽内且与所述IGBT芯片电连接。

优选的，所述横梁与所述框体一体成型。

优选的，所述控制端子包括连接端，所述连接端的底面固定于所述凹槽内。

优选的，所述IGBT模块还包括导电金属线，所述连接端的顶面通过所述导电金属线与IGBT芯片电连接。

优选的，所述导电金属线具体为铝线。

优选的，所述控制端子的连接端呈十字型。

优选的，所述IGBT模块还包括端子基座，所述控制端子还包括引出端以及本体，所述本体分别与所述连接端和引出端连接，所述端子基座包覆于控制端子的本体上，所述控制端子的引出端在纵向方向上高于所述端子基座的顶面，所述端子基座的底面固定在所述凹槽内。

优选的，所述端子基座与所述凹槽一体成型。

优选的，所述端子基座位于所述相邻两个控制端子的连接端之间。

优选的，所述引出端与所述端子基座的顶面垂直连接。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：通过在所述横梁上设有至少一个凹槽，所述控制端子直接固定于所述凹槽内即可，那么就不需要横梁将控制端子完完全全包裹住，从而减少环氧塑封材料的使用量，不仅可以降低模块的制造成本，还可以简化模块的制造工艺。

附图说明

图1为现有技术中IGBT模块的结构示意图。

图2为本实用新型中IGBT模块一种实施例的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

如图2所示，本实用新型提供一种实施例的IGBT模块，所述IGBT模块包括：至少一控制端子、至少一IGBT芯片4、具有横梁2的框体1、以及固定于框体1底面且与横梁2的底面固定连接的陶瓷基覆板3，陶瓷基覆板3可以为陶瓷基覆铜板，也可以陶瓷基覆铝板，所述陶瓷基覆板3通过横梁划分为至少两个容纳区域，每个IGBT芯片4固定于对应容纳区域的陶瓷基覆板3上，所述横梁2上设有至少一个凹槽5，所述控制端子固定于所述凹槽5内且所述控制端子与所述IGBT芯片4电连接。