[实用新型]自组网电池监控微单元

权利要求书

自组网电池监控微单元，其特征在于：包括有数字微处理模块，以及分别与数字微处理模块连接的电源模块、电池信号采集模块、信号接收模块和信号发送模块；且所述的电池信号采集模块与电源模块连接。

根据权利要求1所述的自组网电池监控微单元，其特征在于：所述的电池信号采集模块包括有温度采集模块、电压采集模块和采集扩展接口。

根据权利要求1所述的自组网电池监控微单元，其特征在于：所述的信号接收模块是由接受信号端子、NPN三极管、电阻R1和电阻R2组成，所述的接受信号端子通过电阻R1与NPN三极管的基极连接，NPN三极管的发射极接地，NPN三极管的集电极与数字微处理模块的信号输入端连接，且数字微处理模块的信号输入端通过电阻R2与电源连接；所述的信号发送模块是由数字信号发送端子、PNP三极管、电阻R3、电阻R4和电阻R5组成，所述的数字微处理模块的信号输出端通过电阻R3与PNP三极管的基极连接，PNP三极管的集电极通过电阻R5与数字信号发送端子连接，PNP三极管的发射极与电源连接，且数字微处理模块的信号输出端依次通过电阻R3、电阻R4与电源连接。

根据权利要求1所述的自组网电池监控微单元，其特征在于：所述的信号接收模块是由接受信号端子、N型MOSFET管、电阻R1、电阻R2和电阻R0组成，所述的接受信号端子通过电阻R1与N型MOSFET管的门极连接，N型MOSFET管的源极接地，N型MOSFET管的漏极与数字微处理模块的信号输入端连接，且数字微处理模块的信号输入端通过电阻R2与电源连接，N型MOSFET管的门极和源极之间连接有电阻R0；所述的信号发送模块是由数字信号发送端子、P型MOSFET管、电阻R3、电阻R4和电阻R5组成，所述的数字微处理模块的信号输出端通过电阻R3与P型MOSFET管的门极连接，P型MOSFET管的源极通过电阻R5与数字信号发送端子连接，P型MOSFET管的漏极与电源连接，且数字微处理模块的信号输出端依次通过电阻R3、电阻R4与电源连接。

根据权利要求1所述的自组网电池监控微单元，其特征在于：所述的信号接收模块是由接受信号端子、NPN三极管、二极管、电阻R6和电阻R7组成，所述的接受信号端子通过二极管与NPN三极管的发射极连接，NPN三极管的集电极与数字微处理模块的信号输入端连接，NPN三极管的基极通过电阻R6与电源连接，且所述的数字微处理模块的信号输入端通过电阻R7与电源连接；所述的信号发送模块是由数字信号发送端子、NPN三极管、电阻R8组成，所述的数字微处理模块的信号输出端通过电阻R8与NPN三极管的基极连接，NPN三极管的发射极接地，NPN三极管的集电极与数字信号发送端子连接。

根据权利要求1所述的自组网电池监控微单元，其特征在于：所述的信号接收模块是由接受信号端子、N型MOSFET管、二极管、电阻R6和电阻R7组成，所述的接受信号端子通过二极管与N型MOSFET管的源极连接，N型MOSFET管的漏极与数字微处理模块的信号输入端连接，N型MOSFET管的门极通过电阻R6与电源连接，且所述的数字微处理模块的信号输入端通过电阻R7与电源连接；所述的信号发送模块是由数字信号发送端子、P型MOSFET管和电阻R8组成，所述的数字微处理模块的信号输出端通过电阻R8与P型MOSFET管的门极连接，P型MOSFET管的源极接地，P型MOSFET管的漏极与数字信号发送端子连接。

根据权利要求1所述的自组网电池监控微单元，其特征在于：所述的信号接收模块是由接受信号端子、电阻R9、电阻R10、第一二极管和第二二极管组成，所述的接受信号端子通过电阻R9与数字微处理模块的信号输入端连接，且接受信号端子依次通过电阻R9、电阻R10接地，所述的数字微处理模块的信号输入端通过第一二极管与电源连接，所述的的数字微处理模块的信号输入端通过第二二极管接地。

根据权利要求7所述的自组网电池监控微单元，其特征在于：所述的数字微处理模块的信号输入端的前端连接有逻辑隔离电路，接受信号端子依次通过电阻R9、逻辑隔离电路与数字微处理模块的信号输入端连接，所述的数字微处理模块的信号输入端依次通过逻辑隔离电路、第一二极管与电源连接，所述的数字微处理模块的信号输入端依次通过逻辑隔离电路、第二二极管接地。