[实用新型]阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。 

背景技术

随着显示器制造技术的发展，薄膜场效应晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）因其具有体积小、功耗低、分辨率高等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。 

阵列基板是显示装置的主要组成部件之一，现有技术中制备阵列基板的工艺过程一般包括：通过构图工艺依次在基板上形成包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层、非感光树脂层、第一透明导电层、绝缘层和第二透明导电层层的图案。 

在制造阵列基板的过程中，若能减少所使用的光刻掩膜版的数量，可显著减少阵列基板的制造成本，进而能减少显示装置的制造成本。 

同时，现有技术中一般是利用光刻胶作为掩膜对非感光树脂层进行构图工艺，但光刻胶与非感光树脂层之间的粘附性较差，在对非感光树脂层进行构图工艺的过程中，光刻胶易从非感光树脂层上脱落，导致非感光树脂层的构图工艺的过程失败，进而降低了阵列基板的良品率，同时提高了阵列基板的生产成本。 

实用新型内容

本实用新型目的是提供一种阵列基板和显示装置，可以降低显示装置的制造成本，同时提高生产良率。 

为达到上述目的，本实用新型的阵列基板和显示装置采用如下技术方案： 

本实用新型一方面提供了一种阵列基板，自下而上依次包括：基板、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层、保护层和非感光树脂层，其特征在于，所述保护层和所述非感光树脂层上具有过孔，所述过孔位于漏极上方； 

在所述非感光树脂层之上，所述阵列基板还包括：第一透明导电层，覆盖除所述过孔区域外的所述非感光树脂层；绝缘层，覆盖所述第一透明导电层和所述过孔的内侧壁；第二透明导电层，位于所述绝缘层上，并通过所述过孔与所述源漏电极层的漏极相接触。 

所述保护层由硅的氧化物、硅的氮化物、铪的氧化物、硅的氮氧化物、铝的氧化物中的一种或两种构成。 

本实用新型的另一部分还提供了一种显示装置，包括上述任意一种阵列基板。 

在本实用新型实施例的技术方案中，在制备阵列基板的过程中，在制备该种阵列基板的过程中，当需要刻蚀非感光树脂层时，以形成在所述非感光树脂层上的第一透明导电层作为非感光树脂层的掩膜，直接对非感光树脂层进行干法刻蚀。无需在形成非感光树脂层后利用光刻胶作为掩膜，对非感光树脂层进行刻蚀，减少了制备阵列基板所需要的光刻掩膜版的数量，提高了阵列基板的良品率，进而减少阵列基板的制造成本，减少显示装置的制造成本。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为本实用新型实施例中的阵列基板的制备方法的流程图； 

图2为本实用新型实施例中的阵列基板的制备过程的截面示意图； 

图3为本实用新型实施例中的阵列基板结构的截面示意图。 

附图标记说明： 

1—基板；         2—栅极层；     3—栅极绝缘层； 

4—有源层；       5—源漏电极层； 6—保护层； 

7—非感光树脂层； 8—过孔；       9—第一透明导电层； 

10—绝缘层；      11—第二透明导电层。 

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。 

实施例一 

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，如图3所示，该阵列基板，自下而上依次包括：基板1、栅极层2、栅极绝缘层3、有源层4、源漏电极层5、保护层6和非感光树脂层7，所述保护层6和所述非感光树脂层7上具有过孔8，所述过孔8位于漏极上方的所述保护层6和所述非感光树脂层7内；