[实用新型]晶舟及晶圆存放机构有效
申请号: | 201320061526.1 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN203103272U | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 方三军;朱瑜杰;陈思安;徐萍 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存放 机构 | ||
本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种晶舟及晶圆存放机构。
在日常的缺陷检测过程中,除了常见的随机缺陷外,还存在一种特殊的缺陷,缺陷一般出现在晶圆边缘位置;如果缺陷较严重时会在晶圆上形成一大一小两个缺陷区域,其在晶圆上相差180度;该缺陷通常是由于晶圆所处环境恶化导致的。
请参考图1,其为现有技术中的晶圆存放机构,包括晶盒6和晶舟2,晶舟2包括顶盖3,所述顶盖3。所述顶盖3的两个相对的边缘,即图中的上下两侧的边缘,分别设有一个宽开口4和一个窄开口5,另两个相对的边缘,即图中左右两侧的边缘平行设置,且在晶圆槽上的垂直投影分别位于晶圆1的两侧,在实际操作中,晶圆1及晶舟2由于制程需要,会不时转移到机台环境中,而机台环境由于许多移动,摩擦部件以及污染性气体,部分机台甚至是半开放式的,从而事实上无法避免被污染,尤其处于最上端的晶圆,其与宽开口4和窄开口5对应的位置容易形成缺陷。
本实用新型要解决的技术问题是能够提高对晶圆保护效果的晶舟及晶圆存放机构。
为了解决这一技术问题,本实用新型提供了一种晶舟,包括一个顶盖和若干用以放置晶圆的晶圆槽,所述顶盖平行于所述晶圆槽,所述顶盖的两个相对的边缘分别设有一个宽开口和一个窄开口,另两个相对的边缘平行设置,且在晶圆槽上的垂直投影分别位于晶圆的两侧,在所述宽开口和所述窄开口内还设有两个弧形部,每个所述弧形部包括一个圆弧边缘和一个圆弦边缘,两个所述圆弦边缘分别与所述宽开口和所述窄开口连接,所述顶盖在所述晶圆槽上的垂直投影覆盖所述晶圆。
优选的,所述圆弧边缘在所述晶圆槽上的垂直投影与所述晶圆的外轮廓匹配。
优选的,所述圆弧边缘的半径与所述晶圆的半径相同。
优选的,所述圆弧边缘的圆心在所述晶圆槽上的垂直投影与所述晶圆的圆心重合。
优选的,所述顶盖和与之相邻的晶圆槽之间的间距等于所述晶圆槽与相邻晶圆槽之间的间距。
本实用新型还提供了一种晶圆存放机构,包括一个晶盒,还包括了本实用新型提供的晶舟,所述晶舟位于在所述晶盒内。
本实用新型提供的晶舟及晶圆存放机构,在晶舟的顶盖的两侧设置了弧形部,由于所述弧形部在所述晶圆槽上的投影覆盖了晶圆,从而可以利用所述弧形部对最上层的晶圆进行保护,避免了由于宽开口和窄开口而导致的晶圆缺陷,同时,由于其边缘形状为圆弧边缘,也尽可能地保证了最上层晶圆槽上的晶圆所接受到的工艺处理与其他晶圆槽上的晶圆所受到的工艺处理水平是相同的。
本实用新型提供的晶舟及晶圆存放机构,在晶舟的顶盖的两侧设置了弧形部,由于所述弧形部在所述晶圆槽上的投影覆盖了晶圆,从而可以利用所述弧形部对最上层的晶圆进行保护,避免了由于宽开口和窄开口而导致的晶圆缺陷,同时,由于其边缘形状为圆弧边缘,也尽可能地保证了最上层晶圆槽上的晶圆所接受到的工艺处理与其他晶圆槽上的晶圆所受到的工艺处理水平是相同的。
图1是现有技术中的晶圆存放机构的俯视结构示意图;
图2是本实用新型一实施例提供的晶圆存放机构俯视结构示意图。
图中,1—晶圆;2—晶舟;3—顶盖;4—宽开口;5—窄开口;6—晶盒;7—第一弧形部;8—第二弧形部。
以下将结合图2对本实用新型提供的晶舟和晶圆存放机构进行详细的描述,其为本实用新型一可选的实施例,可以认为本领域的技术人员可以根据公知的常识在不修改本实用新型内容和精神的范围内对其进行修改和润色。
请参考图2,本实施例提供了一种晶舟2,包括一个顶盖3和若干用以放置晶圆1的晶圆槽(图未示),所述顶盖3平行于所述晶圆槽,所述顶盖3的两个相对的边缘分别设有一个宽开口4和一个窄开口5,另两个相对的边缘平行设置,且在晶圆槽上的垂直投影分别位于晶圆1的两侧,在所述宽开口4和所述窄开口5内还设有两个弧形部,即图2所示的第一弧形部7和第二弧形部8,每个所述弧形部包括一个圆弧边缘和一个圆弦边缘,两个所述圆弦边缘分别与所述宽开口4和所述窄开口5连接,所述顶盖3在所述晶圆槽上的垂直投影覆盖所述晶圆1。
本实施例在顶盖3的两侧设置了弧形部,包括第一弧形部7和第二弧形部8,由于所述弧形部在所述晶圆槽上的投影覆盖了晶圆1,从而可以利用所述弧形部对最上层的晶圆1进行保护,避免了由于宽开口4和窄开口5的存在而导致的晶圆缺陷,同时,由于其边缘形状为圆弧边缘,也尽可能地保证了最上层晶圆槽上的晶圆1所接受到的工艺处理与其他晶圆槽上的晶圆所受到的工艺处理水平是相同的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320061526.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种外延标记
- 下一篇:一种无极灯耦合器用单面弧形磁条
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造