[实用新型]渗透浸渍凝结体二次融补的基坑止水帷幕有效

专利信息
申请号: 201320070818.1 申请日: 2013-02-06
公开(公告)号: CN203096727U 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 周浩亮;龚金京;张忠甫 申请(专利权)人: 北京现代金宇工程建设有限公司
主分类号: E02D5/20 分类号: E02D5/20;E02D19/18
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 廖元秋
地址: 100102 北京市朝阳区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 渗透 浸渍 凝结 二次 基坑 止水 帷幕
【权利要求书】:

一种渗透浸渍凝结体二次融补基坑止水帷幕,该止水帷幕包括设置在基坑内侧壁的多根首次帷幕桩和多根钢筋混凝土支护桩,由首次帷幕桩将相邻的钢筋混凝土支护桩搭接成一整体单排封闭止水帷幕,其特征在于,还包括设置在地下水位以下的由高压旋喷水泥浆形成的二次帷幕桩及与该二次帷幕桩连成一体的渗透浸渍凝结体,该凝结体填补在地下水位以下的首次帷幕桩和钢筋混凝土支护桩之间的分叉间隙处或相邻两个首次帷幕桩之间的分叉间隙处,将所述首次帷幕桩和钢筋混凝土支护桩,或所述两个首次帷幕桩经渗透浸渍连成一体。

如权利要求1所述的止水帷幕,其特征在于,该二次帷幕桩的顶面在已开挖的基坑地下水位以下的砂层顶部位置,该二次帷幕桩的中心轴与钢筋混凝土支护桩的中心轴之间的夹角ф为ф=arctanф;tanф=H1/(H2+H3),其中,H1为钢筋混凝土支护桩的中心轴与二次帷幕桩顶面中心轴处之间的水平距离,H1的取值小于等于1000毫米;H2为地下水位以下的砂层的厚度,H3为二次帷幕桩在地下水位以下的砂层底部下卧的粘土层内的嵌入深度,H3的取值1000~1500毫米。

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