[实用新型]基于雪崩晶体管的半导体激光器脉冲驱动电路有效
申请号: | 201320072210.2 | 申请日: | 2013-02-09 |
公开(公告)号: | CN203242917U | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 卢元达;刘克富;邱剑;王宝杰;张田 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 雪崩 晶体管 半导体激光器 脉冲 驱动 电路 | ||
1. 一种基于雪崩晶体管的半导体激光器脉冲驱动电路,其特征在于组成包括:外置的高压可调直流电源(1),由激光二极管(5)、储能电容器(4)、雪崩晶体管(3)组成的充放电回路(2),可编程延时器(7),雪崩晶体管驱动电路(8);所述充放电回路(2)中,雪崩晶体管(3)的发射极通过取样电阻接地,集电极连接储能电容器(4),储能电容器(4)另一端连接激光二极管(5)负极,激光二极管(5)正极接地;高压可调直流电源(1)与充放电回路(2)连接;可编程延时器(7)与雪崩晶体管驱动电路(8)连接,雪崩晶体管驱动电路(8)与充放电回路(2)中的雪崩晶体管(3)连接;其中:可编程延时器(7)通过驱动板上脉冲输入端子(6)输入触发脉冲,可编程延时器(7)通过内部产生精密锯齿波,实现25ns到6.25us的精确延时,雪崩晶体管驱动电路(8)为雪崩晶体管(3)提供发生雪崩所需的冲击电流,所述激光二极管(5)采用储能电容器(4)经雪崩晶体管(3)直接实现放电驱动。
2. 根据权利要求书1所述的基于雪崩晶体管的半导体激光器脉冲驱动电路,其特征在于充放电回路(2)中,雪崩晶体管(3)的发射极的接地端连接电流测量端子(9),电流测量端子(9)与示波器连接,用于电流波形观测。
3. 根据权利要求书2所述的基于雪崩晶体管的半导体激光器脉冲驱动电路,其特征在于电流测量端子(9)输出阻抗为50欧姆,由SMA端子连接同轴电缆引出至示波器做电流波形观测。
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