[实用新型]开关电源电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及自动化领域，具体涉及一种开关电源电路。

背景技术

通常的开关电源，都以外置为主，体积都比较偏大，内置在产品中，会使产品体积增大，而使用变压器又不是很稳定，当初级输入电压偏高时，次级输出的电压也会偏高，电压的高低波动很有可能引发产品各种问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种体积小，低成本高效率的开关电源电路电路。

为达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：一种开关电源电路, 包括输入整流滤波模块，阻容吸收模块，输出整流滤波模块，电压反馈模块和开关控制芯片模块，所述的输入整流滤波模块，阻容吸收模块，输出整流滤波模块，电压反馈模块依次连接，所述的开关控制芯片模块接入阻容吸收模块，所述的电压反馈模块连接开关控制芯片模块。

所述的开关控制芯片模块中采用LP2705。

所述的输入整流滤波模块将交流电转换为平稳的直流电；

所述的开关控制芯片模块控制变压器初级线圈的开关；

所述的阻容吸收模块用于吸收和消耗电路断开时感性负载产生的自感电动势，可防止过电压造成的开关管击穿。

所述的电压反馈模块将使TL431的控制脚(T点)保持2.5V,通过调节R9、R10的比值，可方便改变输出电压值。R9=R10时，输出为5V。

所述的输出整流滤波模块使输出电压稳定，如需控制纹波，可外接LC滤波。

由于上述技术方案的采用，本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：成本低，体积小，交流转换为直流损耗低、效率高达75%以上，电压输入范围宽、输出稳定，可以替代变压器内置在产品中。

附图说明

图1为本实用新型电路图。

其中：1.输入整流滤波模块，2.阻容吸收模块，3.输出整流滤波模块，4.电压反馈模块, 5.开关控制芯片模块。

具体实施方式

如图1所示的开关电源电路，包括输入整流滤波模块1，阻容吸收模块2，输出整流滤波模块3，电压反馈模块4和开关控制芯片模块5，所述的输入整流滤波模块1，阻容吸收模块2，输出整流滤波模块3，电压反馈模块4依次连接，所述的开关控制芯片模块5接入阻容吸收模块2，所述的电压反馈模块4连接开关控制芯片模块5。所述的开关控制芯片模块5中采用LP2705。电压反馈模块4与负载连接。

所述的开关控制芯片模块5中采用LP2705。LP2705在一个器件上集成了一个高压功率MOSFET开关以及一个电源控制器，它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。这个控制器包括了一个振荡器、使能电路、流限状态调节器、5.85V稳压器、旁路/多功能引脚欠压及过压电路、电流限流选择电路、过热保护、电流限流电路，前沿消稳电路以及一个700V的功率MOSFET管。此外，还增加了欠压检测、自动重启动、自动调整的开关周期导通时间延长及频率抖动功能。

1.过热保护。

热关断电路检测结的温度。阈值设置在142 °C并具备75 °C的迟滞范围。当结温度超过这个阈值，功率MOSFET关闭，直到结温度下降75 °C，MOSFET才会重新开启。采用75 °C(典型)的迟滞可防止因持续故障而使PCB板出现过热现象。

2.电流限流。

电流限流电路检测功率MOS F E T的电流。当电流超过内部阈值(I LIMIT)时，在该周期剩余阶段会关断功率MOSFET。电流限流状态调节器在中轻度负载条件下以非连续方式降低电流限流阈值。在功率MOSFET开启后，前沿消隐电路会将电流限流比较器抑制片刻(tLEB)。通过设置前沿消隐时间，可以防止由电容及次级整流管反向恢复时间产生的电流尖峰引起开关脉冲的提前误关断。

3.自动重启动。

一旦出现故障，例如在输出过载、输出短路或开环情况下，LP2705进入自动重启动操作。每当EN/UV引脚电压拉低时，一个由振荡器记时的内部记数器会重新置位。如果64 ms内EN/UV引脚未被拉低，功率MOSFET开关通常被禁止2.5秒(除欠压状态下，因MOSFET在欠压时已被关断)。自动重启动电路对功率MOSFET进行交替使能和关闭，直到故障排除为止。在欠压状态下，功率MOSFET开关的禁止时间超过了通常的2.5秒，直到欠压状态结束为止。