[实用新型]低压无功补偿晶闸管投切电容补偿装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及无功补偿控制系统，尤其涉及低压无功补偿晶闸管投切电容补偿装置。

背景技术

传统的TSC（晶闸管投切电容）无功补偿系统的无功算法方法仍停留在早期的均方根算法上，先进一点的用移相算法方法，近年也有采用傅式算法的，而这些算法方法至少都需要一个周波且算法复杂，占用控制系统资源多，因此响应时间慢，在无功频繁突变环境下补偿速度达不到要求（如弧光焊机等）。为了提高响应速度有的TSC（晶闸管投切电容）控制器往往采用价格不菲的DSP控制芯片以及高端的16位或32位单片机来设计TSC（晶闸管投切电容）控制器，这样又增加了成本和维护难度并且制造困难。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型有必要提供一种响应速度较佳的低压无功补偿晶闸管投切电容补偿装置。

本实用新型是这样实现的，一种低压无功补偿晶闸管投切电容补偿装置，其包括：

两采样点无功算法控制器，其包括电流采样输入端、电压采样输入端、以及多个投切电平输出端，其中，电流采样输入端与低压母线电性连接而采样该低压母线的电流，电压采样输入端与低压母线电性连接而采样该低压母线的电压；

多个晶闸管开关，每个晶闸管开关包括控制端、第一输入端、第二输入端、第一输出端以及第二输出端，其中，该控制端电性连接于一个该投切电平输出端，该第一、第二输入端均电性连接于该低压母线；

多个扼流圈，其一端分别电性连接于多个第二输出端；

多个电容，其一端分别电性连接该多个扼流圈的另一端，且还分别电性连接于多个第一输出端，该多个电容的另一端电性接地。

作为上述方案的进一步改进，每个晶闸管开关包括同步电路以及双向可控硅，该同步电路上设置有相应的控制端、相应的第一输入端、相应的第一输出端，该同步电路还电性连接于相应的双向可控硅的控制极，该第二输入端与该第二输出端分别为相应的双向可控硅的输入与输出。

优选地，该同步电路包括过零电路、发光二极管以及触发可控硅，该过零电路的输入、输出以及采样分别电性连接于相应的触发可控硅的输入、控制极以及输出，该发光二极管的阳极电性连接于电源，该发光二极管的阴极与相应的投切电平输出端电性连接，该发光二极管在发光时触发相应的触发可控硅，该触发可控硅的输入为相应的第一输入端，该触发可控硅的输出为相应的第一输出端且还电性连接于相应的双向可控硅的控制极。

优选地，该同步电路采用过零触发芯片。

作为上述方案的进一步改进，该两采样点无功算法控制器包括电压与电流采样电路、模数整形电路以及处理器，该处理器设置有模数转换接口、HMI接口以及DO接口，该电压与电流采样电路一端与低压母线连接，该电压与电流采样电路的另一端经由该模数整形电路电性连接于该模数转化后接口，该DO接口电性连接于多个控制端。

本实用新型可实现算法且控制响应时间在一个周波以内，提高TSC（晶闸管投切电容）控制器性价比和无功补偿系统动态响应时间以及稳定性。

附图说明

图1为本实用新型较佳实施方式提供的低压无功补偿晶闸管投切电容补偿装置的结构示意图。

图2为图1中低压无功补偿晶闸管投切电容补偿装置的两采样点无功算法控制器的结构示意图。

图3为图1中低压无功补偿晶闸管投切电容补偿装置的晶闸管开关的结构示意图。

图4为图1中低压无功补偿晶闸管投切电容补偿装置的指针定义图。

图5为图1中低压无功补偿晶闸管投切电容补偿装置的采样曲线示意图。

主要符号说明：两采样点无功算法控制器1、晶闸管开关2、扼流圈3、电容4、低压母线5、电压与电流采样电路11、模数整形电路12、处理器13、模数转换接口14、HMI接口15、DO接口16、同步电路21、双向可控硅22、过零电路210、发光二极管211、触发可控硅212。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图1，其为本实用新型较佳实施方式提供的低压无功补偿晶闸管投切电容补偿装置的结构示意图，低压无功补偿晶闸管投切电容补偿装置包括两采样点无功算法控制器1、晶闸管开关2、扼流圈3、电容4。晶闸管开关2、扼流圈3、电容4的数量相对应，可以为多个，本实施方式中，为了便于说明均以一个为例进行举例说明。