[实用新型]阻抗受控、低损耗的单端过孔结构有效

专利信息
申请号: 201320080752.4 申请日: 2013-02-21
公开(公告)号: CN203120286U 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 王红飞;曾志军;陈蓓 申请(专利权)人: 广州兴森快捷电路科技有限公司
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02;H05K1/11
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 谢伟;曾旻辉
地址: 510663 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阻抗 受控 损耗 结构
【权利要求书】:

1.一种阻抗受控、低损耗的单端过孔结构,设置于在绝缘介质层上、下面覆盖有传输线的多层板上,其特征在于,该单端过孔结构包括一个信号过孔和两个接地参考孔,绝缘介质层中具有两个参考层,两参考层上均设有反焊盘,信号过孔与接地参考孔均上下贯穿绝缘介质层,信号过孔位于所述反焊盘的中心,且信号过孔连接绝缘介质层上的传输线,每个接地参考孔均连接两参考层,两接地参考孔以信号过孔为中心呈对称设置,且两接地参考孔孔壁间距大于反焊盘的直径。

2.根据权利要求1所述的阻抗受控、低损耗的单端过孔结构,其特征在于,所述反焊盘单边环宽为0.15mm—0.5mm。

3.根据权利要求1或2所述的阻抗受控、低损耗的单端过孔结构,其特征在于,两接地参考孔的中轴线与信号过孔的中轴线位于同一平面,且两接地参考孔和信号过孔的孔径相同。

4.根据权利要求3所述的阻抗受控、低损耗的单端过孔结构,其特征在于,单端过孔的阻抗Z0与信号过孔孔径d、接地参考孔孔壁间距D满足以下关系:

Z0=60ϵlnDd]]>

其中,ε为绝缘介质层的介电常数。

5.根据权利要求4所述的阻抗受控、低损耗的单端过孔结构,其特征在于,信号过孔孔径d为0.1mm—0.5mm,接地参考孔孔壁间距D为0.5mm—3mm。

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