[实用新型]晶圆减薄加工固定装置有效
申请号: | 201320080824.5 | 申请日: | 2013-02-21 |
公开(公告)号: | CN203165872U | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 陈孟端 | 申请(专利权)人: | 正恩科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;李静 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆减薄 加工 固定 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及发光二极管晶圆,尤其涉及发光二极管晶圆的固定装置。
背景技术
请参阅图1与图2所示,发光二极管晶圆1在制造完成之后,必须进行晶圆减薄加工,其包含研磨与抛光操作,以进行后续的晶圆切割、封装等操作。
已知发光二极管晶圆1在减薄加工时,必须加以固定不动,由于发光二极管晶圆1的厚度相当的薄,为避免裂缝或破片,无法使用一般半导体工艺使用的真空吸附固定装置,已知为将多个发光二极管晶圆1利用固定腊2黏着固定于一圆盘3上,以进行研磨与抛光。然而此固定方式,在研磨及抛光操作完毕之后,必须使用锹子将被固定腊2固定的发光二极管晶圆1翘出,此一作业若施力稍有不当,极易使发光二极管晶圆1产生破片或裂缝,其为目前发光二极管晶圆1提升工艺良率的瓶颈之一。
请再参阅图3所示,为解决上述已知固定方式的问题,已有人利用一真空产生装置4以及一多孔性吸附隔垫5来吸附固定发光二极管晶圆1,其中该多孔性吸附隔垫5具有多个交错且贯通的气孔流道(图未示)并被一固定环6所围绕与固定,并该多孔性吸附隔垫5供放置该发光二极管晶圆1,据此利用该真空产生装置4产生负压,并通过气孔流道的分压,于该多孔性吸附隔垫5产生均匀的吸力,而避免发光二极管晶圆1产生破片或裂缝。
然而,此一固定方式,由于该多孔性吸附隔垫5利用分散气流来解决局部吸力过强的问题,然而相对的其可以产生的气流相当的薄弱,因此在进行研磨与抛光操作时,发光二极管晶圆1有可能会因高速移动或旋转所产生的惯性力而偏移,其会造成工艺上的困扰,而降低工艺良率。
实用新型内容
于是,本新型的主要目的在于披露一种晶圆减薄加工固定装置,其可直接利用一般吸盘来吸附固定该晶圆,而可确实固定发光二极管,避免该发光二极管晶圆因惯性力而偏移。
基于上述目的,本实用新型为一种晶圆减薄加工固定装置,用于固定至少一晶圆,包含一胶膜、一铁环与一吸盘,其中该胶膜具有一黏贴面与一底面,该胶膜的黏贴面固定于该铁环下,并且该胶膜的底面在该铁环内形成一顶靠处,且该胶膜的黏贴面相对于该顶靠处的区域形成有至少一黏贴处,该至少一晶圆黏贴于该至少一黏贴处,该吸盘具有提供负压的一吸附面,该吸附面供接触该顶靠处。
进一步地,吸盘具有位于外侧的一外环区域与位于内侧的一中心区域,外环区域供放置铁环,中心区域供设置吸附面,且外环区域的高度低于中心区域的高度。
进一步地,外环区域与中心区域的高度差大于铁环的厚度。
进一步地,胶膜的黏贴面涂布有一黏胶。
据此,本实用新型通过使该至少一晶圆黏贴固定于该胶膜上,即可直接利用该吸盘来吸附该胶膜而间接固定该晶圆,其形成一种可快速固定及解除固定并兼具高良率的发光二极管晶圆固定装置,而可供晶圆减薄加工时使用,以满足使用上的需要。
附图说明
图1为已知发光二极管晶圆结构图。
图2为已知发光二极管晶圆固定示意图。
图3为另一已知发光二极管晶圆固定示意图。
图4为本实用新型结构分解图。
图5为本实用新型结构组合剖视图。
图6为本实用新型吸附晶圆示意图。
图7为本实用新型实际实施示意图。
具体实施方式
有关本实用新型的详细说明及技术内容,现就配合图式说明如下:
请参阅图4、图5与图6所示,本实用新型为一种晶圆减薄加工固定装置,用于固定至少一晶圆10,其包含一胶膜20、一铁环30与一吸盘40,其中该胶膜20具有一黏贴面21与一底面22,而该胶膜20的黏贴面21固定于该铁环30下,该胶膜20与该铁环30可以为黏结固定在一起,并该胶膜20的底面22于该铁环30内形成一顶靠处221。
该胶膜20的黏贴面21相对该顶靠处221的区域形成至少一黏贴处211,而该至少一晶圆10黏贴于该至少一黏贴处211,且该胶膜20的该黏贴面21涂布有一黏胶23,以供黏贴该铁环30与该晶圆10,其中该黏胶23的胶黏度为100~3000克/平方英寸,且膜厚度为5~500微米,可达到较佳的黏贴效果,且该黏胶23可以为UV胶、热解胶、压克力胶等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造