[实用新型]半导体装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体装置。 

背景技术

以前，为了将半导体芯片与基板连接，广泛应用使用金线等金属细线的引线接合方式。另一方面，为了应对针对半导体装置的高功能化、高集成化、高速化等要求，在半导体芯片或基板上形成被称作凸块的导电性突起，将半导体芯片与基板直接连接的倒装芯片连接方式（FC连接方式）正在普及（例如，专利文献1）。 

现有技术文献 

专利文献 

专利文献1：日本特开2008－294382号公报 

实用新型内容

实用新型要解决的问题 

本实用新型的目的在于，提供一种耐回流焊性和连接可靠性优异的半导体装置。 

解决问题的方法 

本实用新型的一个方式提供一种半导体装置，其具备半导体芯片、与上述半导体芯片相对配置的电路基板、以及介于上述半导体芯片和上述电路基板之间的树脂层，上述半导体芯片和上述电路基板在彼此相对的面上具有配线，上述半导体芯片的上述配线和上述电路基板的上述配线相互进行了倒装芯片连接。 

本方式中，上述半导体芯片的厚度可以设为30～750μm。 

另外本方式中，上述半导体芯片可以具有各边的长度为1～40mm的大致矩形形状。 

另外本方式中，上述电路基板可以是有机基板，此时上述电路基板的面内 方向的热膨胀系数优选为2～20（1/K）。 

另外本方式中，上述电路基板的上述配线可以包含选自银、铜和焊锡所组成的组中的至少一种金属。 

另外本方式中，上述倒装芯片连接可以是使用了连接凸块的连接，上述连接凸块可以包含选自银、铜和焊锡所组成的组中的至少一种金属。 

另外本方式中，上述电路基板的上述配线的间距可以设为5～200μm。 

另外本方式中，上述电路基板的上述配线的间隙可以设为5～100μm。 

另外本方式中，上述电路基板可以具有抗蚀图形。 

另外本方式中，在温度80℃、相对湿度60％条件下放置48小时时的上述半导体芯片和上述电路基板之间的260℃下的粘接力减少率优选为30％以下。这样的半导体装置的耐回流焊性优异。另外，这样的减少率可以通过使用后述包含特定焊剂的粘接剂来实现。 

另外本方式中，上述树脂层优选由含有选自2－甲基戊二酸、甲基丁二酸、2,2－二甲基戊二酸和3,3－二甲基戊二酸所组成的组中的至少一种焊剂的粘接剂的固化物构成。通过采用这样的树脂层，能够满足上述的粘接力减少率的规定，可获得耐回流焊性优异的半导体装置。 

本实用新型的其他方式提供一种半导体装置，其具备第一半导体芯片、与上述第一半导体芯片相对配置的第二半导体芯片、以及介于上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片之间的树脂层，上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片在彼此相对的面上具有配线，上述第一半导体芯片的上述配线和上述第二半导体芯片的上述配线相互进行了倒装芯片连接。 

本方式中，上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片的厚度可以设为30～750μm。 

另外本方式中，上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片可以具有各边的长度为1～40mm的大致矩形形状。 

另外本方式中，上述倒装芯片连接可以是使用了连接凸块的连接，上述连接凸块可以包含选自银、铜和焊锡所组成的组中的至少一种金属。 

另外本方式中，上述第一半导体芯片的上述配线和上述第二半导体芯片的上述配线的间距可以各为5～200μm。 

另外本方式中，上述第一半导体芯片的上述配线和上述第二半导体芯片的上述配线的间隙可以各为5～100μm。 

另外本方式中，在温度80℃、相对湿度60％条件下放置48小时时的上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片之间的260℃下的粘接力减少率优选为30％以下。这样的半导体装置的耐回流焊性优异。另外这样的减少率可以通过使用后述包含特定焊剂的粘接剂来实现。 

另外本方式中，上述树脂层优选由含有选自2－甲基戊二酸、甲基丁二酸、2,2－二甲基戊二酸和3,3－二甲基戊二酸所组成的组中的至少一种焊剂的粘接剂的固化物构成。通过采用这样的树脂层，能够满足上述的粘接力减少率的规定，可获得耐回流焊性优异的半导体装置。