[实用新型]高功率稳定性的偏振锁定半导体泵浦全固态激光器有效
申请号: | 201320089247.6 | 申请日: | 2013-02-27 |
公开(公告)号: | CN203103752U | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 李斌;姚矣;郑权;邓岩;曲大鹏 | 申请(专利权)人: | 长春新产业光电技术有限公司 |
主分类号: | H01S3/13 | 分类号: | H01S3/13;H01S3/0941;H01S3/10;H01S3/16 |
代理公司: | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 | 代理人: | 王薇 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 稳定性 偏振 锁定 半导体 泵浦全 固态 激光器 | ||
本实用新型涉及一种高功率稳定性的偏振锁定半导体泵浦全固态激光器,是一种获得高功率稳定性偏振锁定半导体泵浦全固态被动调Q脉冲倍频激光器,属于激光技术领域。
随着激光技术的不断发展,其应用领域也越来越广泛,同时,对激光参数的要求也越来越高。为了获得高的峰值功率,需要调Q技术,调Q技术包括转镜调Q,染料调Q,电光调Q,声光调Q等。目前最常用的调Q方式为声光调Q,声光调Q工作稳定,一般脉冲宽度可以达到数十ns,频率不高于200KHz。电光调Q的优点是可以得到更窄脉宽和更高的峰值功率,但是电光晶体容易潮解,影响使用寿命。这两种调Q方式都需要使用电子驱动设备来控制调Q的频率,故称为主动调Q。后来出现一种利用晶体的可饱和吸收效应进行调Q的技术,如用Cr4+:YAG等晶体,其作用机理就是利用饱和吸收效应,不需要外加的驱动控制源,故称为被动调Q技术。被动调Q与主动调Q相比,晶体的被动调Q可以获得更窄的脉冲宽度,更高的重复频率,且工作稳定,寿命长。因此在诸多领域有着广泛的应用。
半导体泵浦全固态腔外混频被动调Q脉冲激光器的主要应用是腔外倍频被动调Q脉冲激光器。该技术已经被广泛应用于半导体泵浦全固态腔外倍频被动调Q脉冲红,绿和蓝光激光器的产品中。但由于腔外非线性倍频过程的转换效率很大程度上依赖于脉冲基频光的偏振态,而传统半导体泵浦全固态被动调Q脉冲红外激光器的偏振态随环境温度,激光晶体应力等外界因素会无规律的变化,且被动调Q晶体亦为双折射晶体,基频光通过被动调Q晶体会产生偏振态的旋转,而相应的热效应也会产生应力双折射,以上因素直接导致其倍频过程产生的谐波输出不稳定,严重影响了其在诸多领域的应用。
半导体泵浦全固态腔外混频被动调Q脉冲激光器的主要应用是腔外倍频被动调Q脉冲激光器。该技术已经被广泛应用于半导体泵浦全固态腔外倍频被动调Q脉冲红,绿和蓝光激光器的产品中。但由于腔外非线性倍频过程的转换效率很大程度上依赖于脉冲基频光的偏振态,而传统半导体泵浦全固态被动调Q脉冲红外激光器的偏振态随环境温度,激光晶体应力等外界因素会无规律的变化,且被动调Q晶体亦为双折射晶体,基频光通过被动调Q晶体会产生偏振态的旋转,而相应的热效应也会产生应力双折射,以上因素直接导致其倍频过程产生的谐波输出不稳定,严重影响了其在诸多领域的应用。
本实用新型的目的是提供一种高功率稳定性的偏振锁定半导体泵浦全固态激光器,其内部结构为线性直腔结构并在输出腔镜和倍频晶体间加入基频光的半波片,在旋转驱动器的控制下,随着外界条件的变化旋转基频光半波片,将基频光的偏振态实时调节到倍频转换效率最高的位置以保证被动调Q脉冲基频光倍频过程的稳定。
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