[实用新型]图像传感器结构和图像传感器电路有效
| 申请号： | 201320090719.X | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN203206376U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;乔劲轩 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N5/369;H04N5/378 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 结构 电路 | ||
1.一种图像传感器电路，其特征在于，包括：像素阵列和至少两个模数转换单元；
同一列中至少两个像素单元分别连接不同的模数转换单元。
2.如权利要求1所述的图像传感器电路，其特征在于，所述至少两个像素单元通过不同或相同的连接线连接不同的模数转换单元。
3.如权利要求1所述的图像传感器电路，其特征在于，还包括适于每次分时选择至少两行像素单元的行选单元，被选择的不同行的像素单元与适于对每次被选择的像素单元输出的电压并行进行模数转换的不同的模数转换单元相连接。
4.如权利要求3所述的图像传感器电路，其特征在于，所述行选单元每次选择的像素单元的行数等于所述模数转换单元的数量。
5.如权利要求1所述的图像传感器电路，其特征在于，所述模数转换单元包括：芯片级模数转换器和列译码器，所述芯片级模数转换器通过所述列译码器连接所述像素单元。
6.如权利要求1所述的图像传感器电路，其特征在于，所述模数转换单元包括：列并行模数转换器，所述列并行模数转换器直接连接所述像素单元。
7.如权利要求1所述的图像传感器电路，其特征在于，所述图像传感器为采用背照式入光的图像传感器。
8.一种图像传感器结构，其特征在于，包括：衬底、像素层和器件层，所述像素层和器件层均位于所述衬底上，所述像素层形成有像素阵列，所述器件层形成有至少两个模数转换器，所述像素阵列的同一列中至少两个像素单元分别连接不同的模数转换单元。
9.如权利要求8所述的图像传感器结构，其特征在于，所述像素层还形成有连接所述像素阵列和模数转换器的全部或部分连接线。
10.如权利要求8所述的图像传感器结构，其特征在于，还包括连线层， 所述连线层位于所述像素层上，所述连线层形成有连接所述像素阵列和模数转换器的全部或部分连接线。
11.如权利要求10所述的图像传感器结构，其特征在于，所述衬底厚度为2-10微米，部分或全部连接线位于所述像素阵列之上。
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