[实用新型]太阳能电池元件有效
申请号: | 201320092632.6 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN203150568U | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 梅田耕太郎;伊藤宪和;水元章裕 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂宁乐;浦柏明 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 元件 | ||
1.一种太阳能电池元件,具有:
半导体基板,其在一主面侧的表层部具有一导电型的掺杂浓度为第一浓度的第一浓度区域及所述掺杂浓度比所述第一浓度区域高的、该第一浓度区域以外的第二浓度区域;
防反射膜,其配置于所述一主面的所述第一浓度区域上;
电极,其配置于所述一主面的所述第二浓度区域上,
在所述半导体基板的所述表层部设置相互隔离的两处以上的定位基准部,
该两处以上的定位基准部的所述一主面的第一表面粗糙度比所述定位基准部以外的所述一主面的第二表面粗糙度大。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,
所述两处以上的定位基准部的各自的所述表层部的孔隙率比所述定位基准部以外的所述表层部的孔隙率大。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,
所述两处以上的定位基准部具有多个粒状部汇集的集合部。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,
在所述两处以上的定位基准部的所述一主面上分别配置所述防反射膜,并且该防反射膜的厚度比配置于所述定位基准部以外的所述一主面上的所述防反射膜的厚度薄。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,
所述两处以上的定位基准部中的一处以上的该定位基准部配置于所述一主面的所述第二浓度区域上。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,
所述两处以上的定位基准部中的一处以上的该定位基准部配置于所述一主面的所述第一浓度区域上。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,
所述电极包括向第一方向延伸的多个第一线状部和向与所述第一方向不同的第二方向延伸且与所述多个第一线状部交叉的第二线状部,
该第二线状部的宽度比所述多个第一线状部的宽度宽,
所述两处以上的定位基准部中的一处以上的该定位基准部在所述一主面上配置于从所述第二线状部向所述第二方向假想延伸的延长线上的区域。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,
所述定位基准部的所述表层部的第一氧浓度比所述定位基准部以外的所述表层部的第二氧浓度高。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320092632.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的