[实用新型]侧接触CMOS影像采集模组有效
申请号: | 201320093327.9 | 申请日: | 2013-02-27 |
公开(公告)号: | CN203192798U | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 冷启明;张开元;陈威威;张宇驰 | 申请(专利权)人: | 深圳市微高半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518110 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 cmos 影像 采集 模组 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种侧接触CMOS影像采集模组。
背景技术
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)的缩写,是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片。CMOS影像采集模组将光、影、像转换为电子数字信号,CMOS镜头的每个像素包含了放大器与A/D转换电路,多个定位电子元件压缩在单一像素的感光区域的表面积内。CMOS影像采集模组工作原理是利用photodiode进行光与电的转换。物体通过镜头(Lens)聚集的光线,通过CMOS感光集成电路,将光信号转化为电信号,经过内部的ISP(图像信号处理器)转换后变为数字图像信号输出。再送到数字信号处理器中加工处理,转化为标准的YUV、RGB格式图像信号。
CMOS影像采集模组可以分为两类:定焦模组和自动对焦模组。定焦模组是镜头组和芯片组装好以后将镜头的位置固定、调焦距离不变的CMOS影像采集模组。这类模组在生产当中需要根据Sensor的感光特性,计算出镜头的调焦距离,固定Sensor于镜头的相对距离上。随着科技的发展,Sensor的感光晶圆越做越小,这也使得CMOS影像采集模组生产厂家需要根据Sensor的特点设计与之相适应的小型CMOS影像采集模组。随着3G时代的到来,摄像头模组也出现两个发展的趋势;一个方面就是以自动对焦或光学变焦的高端像素,另一个发展的方向就是小型CMOS影像采集模组。由于3G手机输出带宽和手机空间的限制,传统以定位柱、定位孔的定位方法在前置摄像头只能使用低像素小型CMOS影像采集模组,以实现视频通话的功能。另,采用连接器形式的CMOS影像采集模组是以连接器的引脚相接的,因其接触面积较小,普遍存在抗跌和抗震性差的问题,在使用中如果遇到跌落或者震荡等,很容易造成连接松动,导致摄像头不能正常工作。此外,由于连接器需要占用一定的空间,无法有效的将模组总高度降低,无法满足一些小空间应用场合的要求。
发明内容
本实用新型的主要目的在于提供一种超小超薄,成本低的侧接触CMOS影像采集模组。
为解决上述问题,本实用新型采用如下技术方案:一种侧接触CMOS影像采集模组,包括镜头座,及设置在镜头座内、与镜头座螺纹连接的镜头,及设置在镜头座下方的柔性电路板,及设置在镜头下方的、封装在柔性电路板上的感光芯片,及包覆在柔性电路板四周的补强件;所述柔性电路板上设置有用于定位的电子元件,所述补强件四周设置有金属片。
进一步的,所述电子元件是电容或电阻。
本实用新型侧接触CMOS影像采集模组的有益效果是:由于所述柔性电路板上设置有用于定位的电子元件,摒弃了传统以定位柱、定位孔的定位方法,定位精度高,准确。所述补强件四周设置有金属片来连接,有效的提高了抗跌落和抗震荡性能,产品可以做到超小超薄,成本低。
附图说明
图1为本实用新型侧接触CMOS影像采集模组的示意图。
具体实施方式
请参阅图1所示,本实用新型的一种侧接触CMOS影像采集模组,包括镜头座1,及设置在镜头座1内、与镜头座1螺纹连接的镜头2,及设置在镜头座1下方的柔性电路板3,及设置在镜头2下方的、封装在柔性电路板3上的感光芯片4,及包覆在柔性电路板3四周的补强件5;所述柔性电路板3上设置有用于定位的电子元件6,电子元件6不仅是电路设计的需要,也可以起到定位的作用。电子元件6与感光芯片4的边角相配合定位,定位精度高,准确。所述电子元件6是电容或电阻。所述补强件5四周设置有金属片7,金属片7的接触面积大,接触充分,提高了抗跌落和抗震荡性能,产品可以做到超小超薄,成本低。
本实用新型侧接触CMOS影像采集模组的有益效果是:由于所述柔性电路板上设置有用于定位的电子元件,摒弃了传统以定位柱、定位孔的定位方法,定位精度高,准确。所述补强件四周设置有金属片来连接,有效的提高了抗跌落和抗震荡性能,产品可以做到超小超薄,成本低。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的