[实用新型]一种具有去污效果的晶片台

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体光刻技术领域，尤其涉及一种具有去污效果的晶片台。

背景技术

半导体行业一直是投资最密集的行业之一。缺陷控制对晶片产量保证是至关重要的。在曝光过程中引入的颗粒污染会引起的晶片散焦是最典型和最普通类型的缺陷，这些缺陷会严重影响产率，从而降低生产率。

如图1a所示的一晶片台10，具体的，如图1b所示，所述晶片台10包括一晶片载台12和一晶片曝光台14，晶片曝光台14与晶片载台12之间存在一垂直通道16，晶片载台12还存在一边缘角18。一晶片20置于晶片曝光台14上进行曝光，曝光过程中需要使用去离子水(DIwater)和/或氮气作为清洁剂，通过清洁剂来吹扫任何微粒，防止回流可能带来的粒子源，从而保持曝光环境的干净以及保持气流和气压的稳定状态，则需要向垂直通道16增加抽气气流，以将颗粒和清洁流量从垂直通道16吸取带走。由于晶片载台12的边缘角18的存在，会增加边缘角18附近的固体表面空气流动粘度，使颗粒易沉积和积累在晶片载台12的边缘角18处。

又由于气流气压的存在，如图1c所示，这些残留在晶片载台12的边缘角18附近处的颗粒可能会转移到晶片曝光台14的边缘，并随着气流运动、曝光的动态过程、晶片曝光台的机械运动(例如高度和左右位置的调整)，以及晶片离开和放置在晶片曝光台上的接触的动态过程，均会引起颗粒扩散沉积在晶片边缘上并引起晶片边缘散焦，而这些晶片边缘散焦会导致需要花费大量的机械时间去除颗粒以及降低扫描工具的扫描能力。用扫描工具获得的结果如图1d所示，区域D1表示晶片边缘由于颗粒的沉积导致的厚度增加，区域D2表示没有被颗粒污染的晶片的厚度不变。

因此，在曝光过程中引入的晶片污染(类似晶片背面颗粒，边缘珠去除，或EBR残差等作为第一个因素)和/或晶片曝光台边缘污染大多发生在晶片边缘(作为第二个因素)。通过提高晶片清洗和EBR工程是可以解决第一个因素。而为了解决第二个因素，通常需要频繁清洗晶片载台和晶片曝光台，以降低这种微粒引起的晶片边缘散焦的影响，但是这样不仅浪费大量宝贵的加工时间，而且清洁结束后有时也未必获得令人不满意的结果。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有去污效果的晶片台，以降低晶片边缘颗粒污染。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种具有去污效果的晶片台，所述晶片台包括一晶片载台和一晶片曝光台，所述晶片载台和晶片曝光台之间有一垂直通道，所述晶片台还具有贯穿所述晶片载台且连接所述晶片载台边缘表面至垂直通道底部的光滑通道阵列。

进一步的，所述光滑通道阵列中的光滑通道的数目为一个或多个由所述晶片载台边缘的形状和面积大小决定。

进一步的，每个所述光滑通道的曲率和端口的大小相同或不同。

进一步的，在每个所述光滑通道中，位于所述晶片载台边缘表面的顶部端口和位于所述晶片载台边缘侧壁的底部端口的大小相同或不同。

优选的，所述顶部端口和底部端口的特征尺寸为0.1-1mm。

优选的，所述晶片曝光台具有第一表面和第二表面，所述光滑通道的底部端口低于所述晶片曝光台的第一表面。

优选的，所述晶片曝光台的第二表面低于所述晶片载台的边缘角的水平面。

优选的，每个所述光滑通道间隔的距离为0.2-5mm。

与现有技术相比，本实用新型公开的一种具有去污效果的晶片台，由于在晶片台上具有贯穿晶片载台且连接晶片载台边缘表面至垂直通道底部的光滑通道阵列，所述光滑通道和垂直通道一起作为抽取污染源的通道使用，而沉积在晶片载台边缘上的颗粒通过所述光滑通道后带走，大大降低了在晶片载台边缘的颗粒停留和积累的机会，以防止沉积在晶片载台边缘上的颗粒扩散到晶片曝光台边缘处，再扩散到置于晶片曝光台上的晶片边缘上，从而降低了晶片边缘的散焦的可能性，进而提高了晶片的产量。同时，减少了清洗晶片载台与晶片曝光台的频率，也节省了机械工具去除颗粒的工作时间和提高了扫描工具的扫描率。

此外，所述光滑通道的底部端口低于晶片曝光台的第一表面，而晶片曝光台的第二表面低于晶片载台边缘的水平面，这种设计会在光滑通道中自然存在流量-压力差，使所述光滑通道自然形成从顶部至底部抽取污染源的通道，否则沉积和积累在晶片载台边缘处污染物易扩散，然后成为晶片边缘散焦的来源。