[实用新型]一种直列多靶磁控溅射镀膜装置有效
申请号: | 201320097577.X | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN203065570U | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 杜晓松;林庆浩;邱栋;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德;王睿 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直列多靶 磁控溅射 镀膜 装置 | ||
1.一种直列多靶磁控溅射镀膜装置,包括1个真空室,真空室内设置有n个矩形溅射靶(3)、1个基片架、1个基片加热器、1个直线运动机构,真空室外具有1个步进电机;其特征在于,所述真空室为箱式真空室,n个矩形溅射靶相互平行并共轴排成一列,靶间距小于矩形靶宽度的2倍,所有矩形溅射靶的宽度方向都平行于真空室的长边;矩形溅射靶上方设置有一个直线运动结构,基片架和基片加热器固定于直线运动机构之上,并在步进电机的驱动下能够沿真空室的长边作直线往复运动,直线往复运动的起始点、终止点和运动速度由一个控制器进行编程设置,其最大行程覆盖了所有矩形溅射靶。
2.根据权利要求1所述的一种直列多靶磁控溅射镀膜装置,其特征在于,所述矩形溅射靶的个数n≥3。
3.根据权利要求1所述的一种直列多靶磁控溅射镀膜装置,其特征在于,所述矩形靶的长度大于等于矩形靶的宽度的3倍。
4.根据权利要求1所述的一种直列多靶磁控溅射镀膜装置,其特征在于,所述n个矩形溅射靶的磁控溅射电源为直流电源、射频电源、中频电源或脉冲电源,或是以上几种电源的任意组合。
5.根据权利要求1所述的一种直列多靶磁控溅射镀膜装置,其特征在于,所述直线运动机构为丝杠式、皮带式或链条式。
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