[实用新型]易焊接掩模板有效
申请号: | 201320100559.2 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN203128640U | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 唐军 | 申请(专利权)人: | 唐军;钱超 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24 |
代理公司: | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊接 模板 | ||
技术领域
本实用新型涉及OLED显示及照明技术领域,特别涉及一种易焊接掩模板。
背景技术
有机电致发光器件,具有自发光、反应时间快、视角广、成本低、制造工艺简单、分辨率佳及高亮度等多项优点,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。在 OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机电致发光二极管) 技术中,真空蒸镀中的掩模板技术是一项非常重要和关键的技术,该技术的等级直接影响 OLED 产品的质量和制造成本。
传统工艺是在掩模板上加工出开口图形区域,该开口图形区域根据显示屏的形状和大小来设置,然后将掩模板焊接到一个板框上。在焊接的过程中,尽管采用的是精度很高的激光焊接工艺,但由于掩模板表面非常平整,因此,会导致焊接后,掩模板材料为向上皱起,使掩模板表面形成一些凸起,由于OLED显示屏的加工质量对掩模板表面平整度极高,这些凸起会影响蒸镀效果,最终影响LED显示屏的质量。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于,针对上述现有技术中的不足,提供一种易焊接掩模板,可有效方便焊接,并且在焊接完成后,能保持掩模板表面平整,从而为OLED的正常生产提供可靠的保障。
为实现上述发明目的,本实用新型采用以下技术方案。
本实用新型提供一种易焊接掩模板,在所述掩模板上设置有开口图案区域,在所述开口图案区域外围设置有半刻线,所述半刻线围成四边形区域。
优选地,所述半刻线的深度为10~50μm。
优选地,所述掩模板的厚度为18μm或30~500μm。
优选地,所述掩模板的厚度为30μm。
优选地,所述掩模板的厚度为40μm。
优选地,所述掩模板的厚度为50μm。
优选地,所述掩模板的厚度为100μm。
相比于上述现有技术,本实用新型在将掩模板焊接到板框上时,使焊点落入半刻槽内,以将掩模板的热变形限制在半刻线内,并位于掩模板的表面以下,不会向上凸出,从而可避免焊接后出现表面不平整现象,有效保证了焊接质量和掩模板的表面平整度。
附图说明
图1是本实用新型实施例中易焊接掩模板的结构示意图。
图2是本实用新型实施例中易焊接掩模板的局部剖视图。
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
以下将结合附图及具体实施例详细说明本实用新型的技术方案,以便更清楚、直观地理解本实用新型的发明实质。
图1是本实用新型实施例中易焊接掩模板的结构示意图;图2是本实用新型实施例中易焊接掩模板的局部剖视图。
参照图1和图2所示,本实施例提供一种易焊接掩模板100,在掩模板100上设置有开口图案区域1,在开口图案区域1外围设置有半刻线2,该半刻线2围成一个四边形区域。
具体地,上述开口图案区域1的图案可根据所要加工的显示屏来设置,可以是一组阵列式排列的通孔,用于蒸镀小尺寸的显示屏,也可以是一个大的通孔,用于蒸镀大尺寸的显示屏。
上述半刻线2为由掩模板100表面向下蚀刻一定的深度制成,该深度值根据掩模板100的厚度而定。例如,本实施例的掩模板100的厚度为18μm或30~500μm,此时,半刻线2的深度为10~50μm。其中,18μm、30μm、、40μm、50μm和100μm是本实施例的掩模板100的常用厚度尺寸。
本实施例采用蚀刻工艺加工上述开口图案区域1,具体步骤为:
1、 清洁材料;
2、 丝印感光油墨;
3、 曝光、显影;
4、 蚀刻;
5、 脱膜。
经过上述步骤,可以根据实际生产需要,加工出所需要的图案。
本实施例的半刻线2设置在开口图案区域1的外围,并形成一个四边形区域,该四边形的大小依板框200的大小而定,主要用于将掩模板100焊接到板框200上。在焊接时,焊点位于半刻线2内,这样,焊接区域即使受热变形,也不会向掩模板100的表面凸出,从而有效保证了掩模板100的表面平整度,提高了蒸镀质量,使OLED显示屏的良品率大大提高。
综上所述,本实用新型在将掩模板焊接到板框上时,使焊点落入半刻槽内,以将掩模板的热变形限制在半刻线内,并位于掩模板的表面以下,不会向上凸出,从而可避免焊接后出现表面不平整现象,有效保证了焊接质量和掩模板的表面平整度。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制其专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
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