[实用新型]静电防护单元、静电防护结构及阵列基板和显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示器制造领域，尤其涉及一种静电防护单元、静电防护结构及阵列基板和显示面板。

背景技术

静电积累和释放是半导体领域中造成器件破坏的主要因素之一。ESD(Electro-Static discharge，静电释放)保护电路的作用是有效阻隔或疏导静电，避免器件被静电破坏。而是否能够较好的阻隔或疏导静电，关键是ESD设计方案的合理性。

ESD的击穿电压V_B∝E_Bd，公式中E_B为绝缘层击穿的临界电场，与绝缘层材料相关；d为绝缘层厚度；在材料确定的情况下，E_B为常量，击穿电压V_B与绝缘层厚度d成正比。

在现有的显示器制造过程中发明人发现，在产品的制程过程中，由于外围Common(公共)电极线面积较大，在等离子气相沉积环境中容易积累大量的电荷，而当这些电荷向阵列基板的内部释放时容易造成内部电路的静电击穿现象发生，在现有技术中Panel Short Ring(像素短路环)与外围Common(公共)电极线连接处设置有静电防护单元(ESD防护线)，这种静电防护单元所采用的结构有利于电荷传输，但耐击穿电压较低，很容易被静电击穿进而导致产品显示不良。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种静电防护单元、静电防护结构及阵列基板和显示面板，能够提高显示面板制程过程中静电防护单元的耐击穿能力，同时在制程结束后保证静电防护单元的电流疏导能力进而提高了产品良率。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种静电防护单元，包括两个串联的一级结构，所述一级结构为并联的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接。

可选的，所述第一晶体管包括第一栅极，覆盖所述第一栅极的第一栅绝缘层，位于所述第一栅绝缘层上方的第一有源层、第一源极和第一漏极，覆盖所述第一有源层、所述第一源极和所述第一漏极的第一保护层；

所述第二晶体管包括第二栅极，覆盖所述第二栅极的第二栅绝缘层，位于所述第二栅绝缘层上方的第二有源层、第二源极和第二漏极，覆盖所述第二有源层、所述第二源极和所述第二漏极的第二保护层；所述第一源极和第二漏极连接。

可选的，所述第一晶体管的第一栅极和第一源极连接，所述第二TFT的第二栅极和第二源极连接；

其中，所述第一栅极上的所述第一栅绝缘层和所述第一保护层包含第一过孔，所述第一源极上的所述第一保护层包含第二过孔，所述第一漏极上的所述第一保护层包含第三过孔，所述第一栅极与所述第一源极被第一导电层图形通过所述第一过孔和所述第二过孔导通；

所述第二栅极上的所述第二栅绝缘层和所述第二保护层上包含第四过孔，所述第二源极上的所述第二保护层上包含第五过孔，所述第二栅极、所述第二源极与所述第一漏极被第二导电层图形通过所述第三过孔、所述第四过孔和所述第五过孔导通；

所述静电防护单元的一个所述一级结构的第一晶体管的第一栅极与像素短路环电连接，另一所述一级结构的第二晶体管的第二栅极与外围公共电极线电连接，两个所述一级结构的另外两个晶体管的栅极电连接。

可选的，所述第一栅极与所述第二栅极为同层导电材料。

可选的，所述第一栅绝缘层与所述第二栅绝缘层为同层绝缘材料层。

可选的，所述第一有源层与所述第二有源层为同层半导体材料层。

可选的，所述第一晶体管和第二晶体管均为“P”型晶体管或所述第一晶体管和第二晶体管均为“N”型晶体管。

可选的，所述第一保护层与所述第二保护层为同层绝缘材料层。

可选的，所述第一导电层图形与所述第二导电层图形为同层透明导电材料层。

一方面，提供一种静电防护结构，包括两个或两个以上上述的静电防护单元并联。

一方面，提供一种阵列基板，包括至少一个上述的静电防护单元，其中所述静电防护单元的一个一级结构的第一晶体管的第一栅极与像素短路环电连接，另一一级结构的第二晶体管的第二栅极与外围公共电极线电连接，两个一级结构的另外两个晶体管的栅极电连接。

一方面，提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。