[实用新型]市电过零信号检测电路有效
申请号: | 201320102129.4 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN203164279U | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 任晶珠 | 申请(专利权)人: | 北京普罗斯托国际电气有限公司 |
主分类号: | G01R19/175 | 分类号: | G01R19/175 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 韩国胜 |
地址: | 100097 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 市电 信号 检测 电路 | ||
1.一种市电过零信号检测电路,其特征在于:包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和第三电阻(R3)、光电耦合元器件(U1)、三极管(Q1)、市电输入220V-L、输入220V-N、5V直流电源和GND电源接地,其特征在于,第一电阻(R1)的一端接入输入220V-L,另一端接入光电耦合元器件(U1)的1P,光电耦合元器件(U1)的2P接入输入220V-N,光电耦合元器件(U1)的3P接入GND电源接地,光电耦合元器件(U1)的4P分别接入第二电阻(R2)的一端和三极管(Q1)的基极,第二电阻(R2)的另一端接入5V直流电源,三极管(Q1)的集电极分别接入第三电阻(R3)的一端和输出正半波接线端子,第三电阻(R3)的另一端接入5V直流电源,三极管(Q1)的发射极接入GND电源接地。
2.根据权利要求1所述的市电过零信号检测电路,其特征在于,所述的光电耦合元器件(U1)内部为一只发光二极管。
3.根据权利要求2所述的市电过零信号检测电路,其特征在于,发光二极管的电流方向为从光电耦合元器件(U1)的1P流向2P。
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