[实用新型]发光元件有效
申请号: | 201320104426.2 | 申请日: | 2013-03-07 |
公开(公告)号: | CN203386789U | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 林立宸 | 申请(专利权)人: | 百士杰企业有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/38 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅;王燕秋 |
地址: | 中国台湾台北市大*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,其包括:一基板,所述基板上结合有两旁呈倾斜而上的U型氮化镓层及N型氮化镓层,并在所述N型氮化镓层的预设段落结合有多层量子井,在所述多层量子井上方另结合一P型氮化镓层,在所述P型氮化镓层上结合有透明导电层及反射层;
其特征在于:一预设厚度的绝缘层覆设在所述透明导电层及反射层上,并延伸至所述N型氮化镓层处;
所述绝缘层将所述P型氮化镓层及所述多层量子井作包覆,在所述绝缘层的两旁预设部位各形成多个透孔,在所述绝缘层的上方两旁则各结合有N电极和P电极,并将相应部位的多个所述透孔利用导电金属材料导通N电极和P电极,并通过所述透孔数量的多寡来调整电流;所述N电极经过相应的多个所述透孔和所述N型氮化镓层形成一N接触电极,所述P电极经过相应的所述透孔和所述透明导电层及反射层、所述P型氮化镓层形成一P接触电极。
2.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于:所述发光元件中的N电极和P电极结合在所述绝缘层上方的两旁,能延伸至所述N型氮化镓层或所述基板,其延伸面积越大越有利于固晶时的黏着度。
3.一种发光元件,其包括:一基板,所述基板上结合有两旁呈倾斜而上的U型氮化镓层及N型氮化镓层,并在所述N型氮化镓层的预设段落结合有多层量子井,在所述多层量子井上方另结合一P型氮化镓层,而在所述P型氮化镓层上结合有透明导电层及反射层;
其特征在于:一预设厚度的绝缘层覆设在所述透明导电层及反射层上,并延伸至所述U型氮化镓层处;
所述绝缘层将所述P型氮化镓层及所述多层量子井包覆,在所述绝缘层的两旁预设部位各形成多个透孔,而在所述绝缘层的上方两旁则各结合有N电极和P电极,并将相应部位的多个所述透孔利用导电金属材料导通N电极和P电极,并利用所述透孔数量的多寡来调整电流;所述N电极通过相应的多个所述透孔和所述N型氮化镓层形成一N接触电极,所述P电极通过相应的所述透孔和所述透明导电层及反射层、所述P型氮化镓层形成一P接触电极。
4.如权利要求3所述的发光元件,其特征在于:所述发光元件中的N电极和P电极结合在所述绝缘层上方的两旁,能延伸至所述N型氮化镓层或所述基板,其延伸面积越大越有利于固晶时的黏着度。
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