[实用新型]具有零伏充电功能的可充电电池保护电路有效
申请号: | 201320105756.3 | 申请日: | 2013-03-08 |
公开(公告)号: | CN203193258U | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 董鑫 | 申请(专利权)人: | 深圳市富满电子有限公司 |
主分类号: | H02H7/18 | 分类号: | H02H7/18 |
代理公司: | 深圳市中原力和专利商标事务所(普通合伙) 44289 | 代理人: | 王英鸿 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区深南西*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有零 充电 功能 充电电池 保护 电路 | ||
1.一种具有零伏充电功能的可充电电池保护电路,包括:分别与延时电路连接的过放保护电路、过充保护电路、过流保护电路和短路保护电路,以及与延时电路连接的逻辑电路,逻辑电路还与可以使得具有保护电路的可充电电池系统进入休眠状态的系统休眠电路连接,逻辑电路与功率管M19的栅极连接,逻辑电路还通过使得可充电电池具有零伏充电功能的电平转换与零伏充电电路与功率管M29的栅极连接,功率管M19的漏极与功率管M29的漏极连接,功率管M19的源极连接在可充电电池负极上,功率管M29的源极连接在可充电电池的负极连接端BATT-上,其特征在于,所述电平转换与零伏充电电路包括:逻辑反相电路、零伏充电逻辑控制电路和电平转换电路,逻辑电路中输出的逻辑信号经逻辑反相电路输入端X输入后,通过其输出接点A给到零伏充电逻辑控制电路,零伏充电逻辑控制电路的输入端还包括由系统休眠电路控制并通过更改其控制方式即可实现切断过放保护时电平转换与零伏充电电路产生的电流增加路径的电压信号PDB,零伏充电逻辑控制电路输出电压通过接点F输入给电平转换电路,其中,零伏充电逻辑控制电路还包括两个MOS管M6和M7,MOS管M6的源极与MOS管M7的漏极连接,并共同与接点F连接,MOS管M6的栅极与输入端X连接,MOS管M6的漏极与MOS管M7的源极连接,并共同通过电阻R1与电平转换电路的输出端V-连接,MOS管M7的栅极与接点A连接。
2.根据权利要求1所述的可充电电池保护电路,其特征在于,所述零伏充电逻辑控制电路还包括:嵌位电路以及MOS管M35、MOS管M33、MOS管M1和MOS管M0和电阻R1,MOS管M35的漏极与MOS管M1的源极连接,其连接点为接点F,MOS管M35的栅极连接于接点A,MOS管M35的源极与内部工作电压VDD连接,MOS管M1的衬底与M35的衬底相连,MOS管M1的栅极接地, MOS管M1的漏极与MOS管M0的漏极连接,MOS管M0源极与MOS管M33的漏极连接,MOS管M0的栅极与电压信号PDB连接,MOS管M33的栅极也与接点A连接,MOS管M33的的源极接地,MOS管M0的衬底与MOS管M33的衬底相连,嵌位电路的输入端为电压信号VC,输出端与接点F连接。
3.根据权利要求2所述的可充电电池保护电路,其特征在于,所述MOS管M35,MOS管M1为PMOS管,所述MOS管M0, MOS管M33为NMOS管。
4.根据权利要求2所述的可充电电池保护电路,其特征在于,所述嵌位电路包括:MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4和MOS管M5,MOS管M2的栅极与参考电压VC连接,漏极和衬底与内部工作电源VDD连接,源极与MOS管M3的源极连接,MOS管M3的栅极与漏极连接,并与MOS管M4的源极连接,MOS管M4的栅极与漏极连接,并与MOS管M5的源极连接,MOS管M5的栅极与漏极连接,并与接点F连接,MOS管M4、MOS管M5的衬底与MOS管M3的衬底相连。
5.根据权利要求4所述的可充电电池保护电路,其特征在于,所述MOS管M3,MOS管M4,MOS管M5为PMOS管,MOS管M2为NMOS管。
6.根据权利要求1所述的可充电电池保护电路,其特征在于,所述电平转换电路包括:MOS管M40和电阻R0,MOS管M40的栅极与接点F连接,源极与内部工作电源VDD连接,漏极通过电阻R0连接到输出端V-,MOS管M40的漏极连接到输出端CO。
7.根据权利要求6所述的可充电电池保护电路,其特征在于,所述MOS管M40为PMOS管。
8.根据权利要求1所述的可充电电池保护电路,其特征在于,所述逻辑反相电路包括:MOS管M22和MOS管M21,MOS管M22和MOS管M21的栅极都连接在输入端X上,MOS管M22的源极与内部工作电源VDD连接,漏极与MOS管M21的漏极连接,其连接点为接点A,MOS管M21的源极接地。
9.根据权利要求8所述的可充电电池保护电路,其特征在于,所述MOS管M22为PMOS管,MOS管M21为NMOS管。
10.根据权利要求2所述的可充电电池保护电路,其特征在于,当过充保护电压为4.2V到4.3V时,所述内部工作电压VDD为4.5V,当过放保护电压为2.0V到2.5V时,所述内部工作电压VDD为2V。
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