[实用新型]半导体装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体装置，特别是涉及有效适用于通过金属线使布线部件上形成的端子与布线部件上搭载的半导体芯片电连接的半导体装置的技术。 

背景技术

日本特开2003-243443号公报(专利文献1)中记载了如下技术：提供一种半导体装置，其具有制造工序简单而密合性优良的焊盘。具体而言，该半导体装置具备用于连接作为接合线的金线的焊盘。另外，该焊盘形成于绝缘层的平坦的表面上，且在连接焊球部的焊盘的连接区域形成多个凹部。 

专利文献1：日本特开2003-243443号公报 

半导体装置由形成有MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等半导体元件和多层布线的半导体芯片、以及以覆盖该半导体芯片的方式形成的封装构成。封装具有以下功能：(1)使半导体芯片上形成的半导体元件与外部电路电连接的功能；(2)保护半导体芯片以使其免受湿度、温度等外部环境的影响，防止振动、冲击引起的破坏、半导体芯片的特性劣化的功能。进一步，封装还兼有以下功能：(3)使半导体芯片易于操作的功能；(4)对半导体芯片工作时的发热进行散热，使半导体元件的功能最大限度地发挥的功能等。 

在封装中，例如，为了实现使半导体芯片上形成的半导体元件与外部电路电连接的功能，而将半导体芯片搭载在布线部件上，通过引线使半导体芯片上形成的焊盘与布线部件上形成的端子连接。即，通 过经焊球的引线进行焊盘与端子的连接。 

在如此构成的半导体装置中，因半导体芯片工作时的发热而使半导体装置的温度上升，但此时也要求其在某一规定温度的范围内正常工作。特别是，对于用于机动车产品的半导体装置，例如存在短时间内流通大电流的情况，并且大多配置在高温的机舱周围，因而要求在比普通用途的半导体装置更高的温度下的工作保证的情况较多。例如，用于机动车产品的半导体装置的工作保证温度以往多为125℃，但近年来，逐渐要求150℃、高者要求175℃。 

然而，本申请发明人有如下的新发现：在使用经由焊球的引线连接焊盘与端子的现有的连接结构中，随着半导体装置的温度的上升，下述问题变得明显。即，在现有的连接结构中，若使温度上升，则构成焊球的材料容易扩散到构成焊盘的材料中，其结果是，在焊盘上形成构成焊球的材料和构成焊盘的材料的合金层。另外，若半导体装置的温度维持高温，则该合金层会生长，冲破设置于焊盘间用于绝缘的绝缘膜(玻璃涂层)，从而会产生到达相邻的焊盘、或接触从各相邻的焊盘生长的合金层的情况。此时，相邻的焊盘间电连接，造成短路故障。特别是，近年来，伴随着半导体装置的高功能及小型化的推进，相邻的焊盘间的距离也变小，因而变成容易产生短路故障的状况。即，由于因高温下的工作保证加上焊盘间距的窄小化而引起的协同效应，变成易产生短路故障的状况。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种即使在进行了半导体装置的工作保证温度的高温化的情况下也能够提高半导体装置的可靠性的技术。 

本实用新型的第一方面的半导体装置的特征在于，具有：(a)半导体芯片，具有配置第1焊盘和与上述第1焊盘相邻的第2焊盘的表面；(b)布线部件，具备搭载上述半导体芯片的上表面、与上述半导体芯片 的上述第1焊盘电连接的第1外部端子及与上述半导体芯片的上述第2焊盘电连接的第2外部端子；(c)第1金属线，使上述半导体芯片的上述第1焊盘与上述布线部件的上述第1外部端子电连接；(d)第2金属线，使上述半导体芯片的上述第2焊盘与上述布线部件的上述第2外部端子电连接；以及(e)密封体，密封上述半导体芯片、上述布线部件的一部分、上述第1金属线及上述第2金属线，上述第1金属线经由第1金属焊球与上述第1焊盘电连接，俯视时，在由上述第1金属焊球和上述第2焊盘夹着的上述第1焊盘的表面的一部分形成第1槽。 

优选的是，在上述第1槽内填充上述密封体的一部分。 

优选的是，俯视时，在上述第1槽和上述第2焊盘之间配置有绝缘膜。 

优选的是，上述第2金属线经由第2金属焊球与上述第2焊盘电连接，俯视时，在由上述第2金属焊球和上述第1焊盘夹着的上述第2焊盘的表面的一部分形成第2槽。 

优选的是，俯视时，上述第1金属焊球配置为比上述第2金属焊球离上述半导体芯片的外缘部近。 

优选的是，俯视时，上述第2焊盘表面的探痕比上述第1焊盘表面的探痕离上述半导体芯片的外缘部近。 

优选的是，俯视时，未在由上述第1焊盘表面的探痕和上述第2焊盘夹着的上述第1焊盘的表面形成上述第1槽。