[实用新型]基于PMOS晶体管的源极跟随器

说明书

技术领域

本实用新型属于源极跟随器技术领域，涉及基于PMOS晶体管的源极跟随器。 

背景技术

基于MOS器件（即MOSFET，也即MOS晶体管）的源极跟随器被广泛应用于各种功能电路中。例如，源极跟随器通常可以用作高速输入缓冲，它电路结构简单，源极跟随器可以提供高输入阻抗、低输出阻抗和宽信号带宽；相比于基于闭环驱动的运算放大器，源极跟随器不存在稳定性问题。因此，源极跟随器非常适用于缓冲器和驱动电路。 

图1所示为传统PMOS晶体管的截面结构示意图，图2所示为图1的传统PMOS晶体管的等效电路示意图。图3所示为基于图1所示的PMOS晶体管所形成的传统源极跟随器的电路示意图。 

如图1所示，传统PMOS晶体管选择在P型衬底或基片111上形成，其包括N阱113、源区121、漏区122、体端（Bulk，以下简称为B）132、源极（Source，以下简称为S）133、栅极（Gate，以下简称为G）134、漏极（Drain，以下简称为D）135和栅介质层140。其中， N阱113可以为N导电类型，其可以通过对P型衬底111构图N型掺杂形成，用来形成PMOS晶体管；在N阱113中，构图掺杂形成源区121和漏区122，二者可以同时掺杂形成，也可以分步掺杂形成，并且二者同为P导电类型，其具体掺杂浓度不是限制性的，在源区121和漏区122之间，可以栅偏压的控制下可以形成沟道；源极133可以从源区121引出金属电极形成，漏极135可以从漏区122引出金属电极形成；体端132从N阱113中引出形成；栅介质层140具体可以但不限于为SiO₂，其可以通过对硅材料的衬底111的表面构图氧化形成，栅极134形成在源极133和漏极135之间。为避免上述寄生二极管正向偏置，P型衬底111偏置接地信号GND。 

按照以上实施例形成如图1所示的PMOS晶体管的同时，该PMOS晶体管中通常会形成寄生电容C_sb 、C_db和C_b，其中，C_sb为源区121与N阱 113之间形成的二极管（如图1中所示）的结电容，C_db为漏区122与N阱 113之间形成的二极管（如图1中所示）的结电容，C_b为N阱 113与P型衬底111之间形成的二极管（如图1中所示）的结电容。 

现有的基于图1所示的PMOS晶体管形成的源极跟随器中，不可避免地至少存在C_sb 、C_db和C_b三个寄生电容。由于PMOS晶体管存在增益Gain会随输出信号的电压的变化而变化的特性，即存在电压依赖性，因此，现有的基于PMOS晶体管的源极跟随器在输入信号摆幅较大时容易发生较大失真，从而容易线性失真，线性度差。 

并且，由于C_sb 、C_db和C_b三个寄生电容的存在，其容易对基于PMOS晶体管的源极跟随器的高频性能产生影响，因此，现有的PMOS晶体管的源极跟随器高频或高速应用时，容易产生动态失真。 

有鉴于此，有必要提出一种新型的源极跟随器。 

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于，提高源极跟随器的线性度。 

本实用新型的又一目的在于，减小源极跟随器的输出信号的线性失真和动态失真。 

为实现以上目的或者其他目的，本实用新型提供一种基于PMOS晶体管的源极跟随器，包括电流源和用作输入器件的PMOS晶体管，其中，所述PMOS晶体管的栅极被定义为所述源极跟随器的输入端（V_in），所述PMOS晶体管的源极被定义为所述源极跟随器的输出端（V_out），所述PMOS晶体管的漏极连接接地信号（GND），高电平信号（V_DD）从所述电流源的一端接入，并且所述电流源的另一端输出电流至所述源极； 

其中，所述PMOS晶体管的体端（B）与所述输入端（V_in）连接，以至于使所述源极与所述体端之间的电压（V_sb）在输入信号变化的情况下基本保持恒定。

按照本实用新型一实施例的源极跟随器，其中，所述PMOS晶体管包括： 

P型衬底；

在所述P型衬底中构图掺杂形成的N阱；

从所述N阱中引出的体端（B）；

在所述N阱中构图掺杂形成的源区和漏区；

从所述漏区中引出的源极（S）；