[实用新型]一种IGBT过流锁定保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电学领域，特别涉及一种IGBT过流锁定保护电路。

背景技术

随着电子开关电源的日益发展，电源的功率做得越来越大，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管应运而生，在开关电源的应用中，要求对IGBT的饱和导通压降进行监控，当IGBT过流的时候，即器件中流过的大于额定值的电流时，极易使器件管芯结温升高，导致器件烧坏，这就要求电源要做出迅速的反应，切断主电路的工作，以免IGBT损坏造成更严重的损失。传统方法是用专用的锁存芯片进行锁定保护，价格相对比较高。专门设计一款低成本，反应速度快的过流锁定保护电路。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种结构简单，反应速度快的IGBT过流锁定保护电路。

为实现上述目的，本实用新型之一种IGBT过流锁定保护电路，其包括过流信号检入单元、与所述过流信号检入单元依次相连的过流检入处理单元及过流检出处理单元、及连接所述过流检出处理单元的PWM控制单元、反馈锁定单元、电源单元及上电处理单元，其特征在于：所述反馈锁定单元的一端连接所述过流检出处理单元输出端，其另一端与所述过流检入处理单元相连，所述电源单元与所述过流检入处理单元、上电处理单元和过流检出处理单元分别相连，且所述上电处理单元的输出端连接所述过流检出单元。

在上述方案的基础上优选，所述过流检入处理单元包括电阻R1、与所述电阻R1连接的反相器及电阻R3，所述电阻R1的输入端与所述过流信号检入单元相连，所述电阻R3的输入端与所述电源单元相连，且反相器的输出端与所述过流检出处理单元相连。

在上述方案的基础上优选，所述反馈锁定单元包括电阻R2，所述电阻R2与所述反相器的输出端相连。

在上述方案的基础上优选，所述反馈锁定单元还包括第一二极管，所述第一二极管的一端与所述反相器的输入端相连，其另一端与所述过流检出处理单元相连。

在上述方案的基础上优选，所述上电处理单元包括第二二极管、与所述二极管连接的电容和电阻R4,所述第二二极管与所述电阻R2的输出端相连，所述电阻R4的一端与所述电源单元相连，其另一端连接所述第二二极管的输出端，所述电容的输出端接地。

在上述方案的基础上优选，所述电源为5V直流电源。

本实用新型与现有技术相比，其有益效果是：通过本实用新型采用了过流锁定单元，当检测到过流信号时，可以将PWM控制单元强制锁死在关闭状态，确保IGBT过流保护可靠性，同时本实用新型结构简单，可降低生产陈本。

附图说明

图1是本实用新型的一种IGBT过流锁定保护电路的电路图；

图2是本实用新型的一种IGBT过流锁定保护电路的方块图。

具体实施方式

为详细说明本实用新型之技术内容、构造特征、所达成目的及功效，以下兹例举实施例并配合附图详予说明。

请参阅图1至图2所示，本实用新型提供一种IGBT过流锁定保护电路，其包括过流信号检入单元10、与所述过流信号检入单元10依次相连的过流检入处理单元20及过流检出处理单元40、及连接所述过流检出处理单元40的PWM控制单元70、反馈锁定单元30、电源单元60及上电处理单元50，其中：

所述过流检入处理单元20包括电阻R1、与所述电阻R1连接的反相器及电阻R3，所述电阻R1的输入端与所述过流信号检入单元10相连，所述电阻R3的输入端与所述电源单元60相连，且该反相器的输出端与所述过流检出处理单元40相连。

所述过流检出处理单元40包括一第一反相器，所述第一反相器可以为奇数个反相器想串联。作为本实用新型的优选方案，所述第一反相器优选一个。

所述反馈锁定单元30的一端连接所述过流检出处理单元40输出端，其另一端与所述过流检入处理单元20相连，且该反馈锁定单元30包括第第一二极管，所述第一二极管的一端与所述反相器的输入端相连，其另一端与所述过流检出处理单元40相连。作为本实用新型的一种优选方案，所述反馈锁定单元30还包括一电阻R2，所述电阻R2一端与所述反相器的输出端相连，其另一端连接所述过流检出处理单元40的第一反相器的输入端。

所述电源单元60与所述过流检入处理单元20、上电处理单元50和过流检出处理单元40分别相连，且所述上电处理单元50的输出端连接所述过流检出单元。其中所述的电源单元60优选5V直流电源。