[实用新型]光控太赫兹波开关有效
| 申请号： | 201320111593.X | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN203178621U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 洪治;陈涛;刘建军;刘平安 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;H01P1/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 陈昱彤 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光控 赫兹 开关 | ||
【权利要求书】：
1.一种光控太赫兹波开关，其特征在于：包括半导体基片、空气层和缺陷层，半导体基片的数量为2n个，n为整数且n≥2；所述缺陷层的两侧置有相同数量的所述半导体基片，且位于所述缺陷层的同一侧的相邻半导体基片之间通过支撑环分隔而形成所述空气层；所述缺陷层由空气构成。
2.根据权利要求1所述的光控太赫兹波开关，其特征在于：n≥3。
3.根据权利要求2所述的光控太赫兹波开关，其特征在于：所述半导体基片的数量为6个。
4.根据权利要求1、2或3所述的光控太赫兹波开关，其特征在于：与所述缺陷层最相邻的其中一个所述半导体基片的朝向缺陷层的表面为激光光束的入射面，所述激光光束用于关闭所述开关。
5.根据权利要求1、2或3所述的一种光控太赫兹波开关，其特征在于：所述半导体基片为高阻硅、砷化镓或磷化铟。
6.根据权利要求1、2或3所述的光控太赫兹波开关，其特征在于：所述缺陷层的厚度为1mm~30mm。
7.根据权利要求4所述的光控太赫兹波开关，其特征在于：所述缺陷层的厚度为1mm~30mm。
8.根据权利要求4所述的光控太赫兹波开关，其特征在于：所述半导体基片为高阻硅、砷化镓或磷化铟。
9.根据权利要求7所述的光控太赫兹波开关，其特征在于：所述半导体基片为高阻硅、砷化镓或磷化铟。
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