[实用新型]一种微调IG腔的接触电极组件

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶体领域，特别是指一种微调IG腔的接触电极组件。 

背景技术

随着晶体行业竞争的日趋激烈，如何提高工作效率、降低成本、提高产品品质，以提高在同行业中的竞争力，已经成了每个晶体企业都将面临的难题。而现有的微调IG腔的插头为圆柱状，其横截面为椭圆形，插接时不易插入，微调时电阻大热量高，长时间使用会失去环形扣的弹性，使IG腔插头与电极柱的接触不良，使IG腔的性能失效，则需更换IG腔与环形扣，使用寿命较低。 

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种接触良好且使用寿命较长的微调IG腔的接触电极组件。 

本实用新型的技术方案是这样实现的：一种微调IG腔的接触电极组件，包括上基板、下基板及电极柱，上基板朝向下基板的底面上设置有IG腔插头，下基板上设置有供电极柱放置的安放孔，电极柱放置于该安放孔内，该电极柱的上端介于上基板与下基板之间，该安放孔的边沿上设置有固定电极柱的环形扣，所述的电极柱的上端的端面直径朝向电极柱的下端逐渐减小，所述的电极柱的端面上设置有通孔，IG腔插头设置为与通孔相适配的尖头，该尖头与通孔对应设置。 

通过采用上述技术方案，防止压塌电极柱及破坏环形扣的弹性，增加了IG腔插头与电极柱的接触性，减少电阻降低热量，提高IG腔功率与性能，大大提高了工作效率，且电阻减少，IG腔功率与性能稳定，微调工作时频率变化可控，一致性、稳定性均得到提升，同时减少了微调电阻大的不良比率，产品品质与良率均得到提升。 

本实用新型进一步设置为：还包括有导向组件，该导向组件包括导柱与导孔，导柱设置于上基板上，导孔设置于下基板上，导柱与导孔相适配设置。 

通过采用上述技术方案，当IG腔插头向电极柱靠近时，有效的起到了导向作用，使IG腔插头与电极柱接触更精确、可靠。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为本实用新型具体实施方式结构示意图； 

图2为图1的A部放大图。 

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。 

如图1—图2所示，本实用新型公开了一种微调IG腔的接触电极组件，包括上基板1、下基2板及电极柱7，上基板1朝向下基板2的底面上设置有IG腔插头4，下基板2上设置有供电极柱7放置的安放孔11，电极柱7放置与该安放孔11内，该电极柱的上端71介于上基板1与下基板2之间，且该电极柱的上端71位于安放孔11的上部，该安放孔11的边沿上设置有固定电极柱7的环形扣8，在本实用新型具体实施例中，所述的电极柱的上端的端面711直径朝向电极柱7的下端逐渐减小，所述的电极柱的端面711上设置有通孔72，IG腔插头4设置为与通孔72相适配的尖头41，该尖头41与通孔72对应设置。 

通过采用上述技术方案，防止压塌电极柱及破坏环形扣的弹性，增加了IG腔插头与电极柱的接触性，减少电阻降低热量，提高IG腔功率与性能，大大提 高了工作效率，且电阻减少，IG腔功率与性能稳定，微调工作时频率变化可控，一致性、稳定性均得到提升，同时减少了微调电阻大的不良比率，产品品质与良率均得到提升。 

本实用新型进一步设置为：还包括有导向组件，该导向组件包括导柱5与导孔6，导柱5设置于上基板1上，导孔6设置于下基板2上，导柱5与导孔6相适配设置，当IG腔插头向电极柱靠近时，有效的起到了导向作用，使IG腔插头与电极柱接触更精确、可靠。 

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。