[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320118023.3 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203250745U | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | M.波尔兹尔;R.西米尼克;M.罗施 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一导电型的漂移层(4)；
在所述漂移层(4)上的第二导电型的体区(7)；
在所述体区(7)上的第一导电型的源区(8)；
沟槽结构(9)，其贯穿所述源区(8)、体区(7)并且延伸到所述漂移层(4)中，所述沟槽结构包括绝缘结构(10)以及场板(13)和/或栅电极(12)，
其中，绝缘结构(10)的至少一部分是厚度渐变的。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘结构(10)的所述部分下部比上部宽度宽。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘结构(10)的所述部分与场板(13)的侧壁相邻。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘结构(10)的所述部分与栅电极(12)的侧壁相邻。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件，其中，所述沟槽结构(9)下部比上部宽度宽。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极(12)被设置在所述场板(13)上并且经由所述绝缘结构(10)与所述场板(13) 绝缘。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述绝缘结构(10)使所述场板(13)和所述栅电极(12)与所述漂移层(4)、体区(7)以及源区(8) 绝缘。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括所述体区中的第二导电型的重掺杂区(5)。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述场板(13)被连接至源极端子。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述场板(13)被连接至栅极端子。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漂移层(4)的掺杂密度从沟槽底部向所述漂移层(4)与所述体区(7)之间的pn结增加。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述体区(7)和/或源区(8)具有大于相邻沟槽结构之间的所述漂移层(4)的一部分的宽度。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述体区(7)和/或源区(8)的宽度比所述漂移层(4)的所述部分的宽度大绝缘结构的平均宽度的至少75%。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述体区(7)和/或源区(8)的宽度比所述漂移层(4)的所述部分的宽度大不超过100%绝缘结构的平均宽度。
15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漂移层(4)中的所述沟槽结构(9)的一部分具有比所述漂移层(4)的所述部分的宽度更宽的宽度。
16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漂移层的掺杂浓度的垂直最小值在场板底部和沟槽底部之间。
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