[实用新型]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201320118047.9 申请日: 2013-03-15
公开(公告)号: CN203398106U 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: K.霍赛尼;U.瓦尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/36
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 曲宝壮;李浩
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

载体,其包括芯片岛和引线;

半导体芯片,其包括半导体芯片第一表面上的第一电极和半导体芯片的与第一表面相对的第二表面上的第二电极,第二电极电连接到芯片岛;以及

夹片,其包括第一接触区域和第二接触区域,所述第一接触区域被放置在所述引线上,所述第二接触区域被放置在所述半导体芯片的所述第一电极上,其中,所述载体的表面的一部分和所述夹片的表面的一部分未被封装材料覆盖,

其中,所述载体和/或所述夹片的厚度至少是所述半导体芯片的厚度的两倍。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述载体的所述表面的所述部分是第一冷却区,而所述夹片的所述表面的所述部分是第二冷却区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述载体的所述表面的所述部分被电耦合至PCB。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述夹片的所述表面的所述部分被附着至热沉。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述载体和所述夹片的厚度都至少是所述半导体芯片的厚度的两倍。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述夹片的所述表面的所述部分的面积大于所述夹片与所述半导体芯片之间的所述接触区域的面积。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述载体的所述表面的所述部分是所述芯片岛的底部表面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述半导体芯片还包括布置在所述半导体芯片的所述第一表面上的第三电极。

9.根据权利要求8所述的半导体器件,还包括将所述第三电极连接至附加的引线的附加的夹片。

10.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,所述第一电极是源电极,而所述第三电极是栅电极。

11.根据权利要求9所述的半导体器件,其中,所述封装材料完全覆盖所述附加的夹片。

12.根据权利要求1-11任一项所述的半导体器件,其中,所述半导体芯片包括超结晶体管。

13.根据权利要求12所述的半导体器件,其中,所述超结晶体管包括补偿区,所述补偿区包括p区和n区。

14.根据权利要求13所述的半导体器件,其中,所述超结晶体管还包括在所述补偿区上的MOS晶体管单元。

15.根据权利要求14所述的半导体器件,其中,所述超结晶体管还包括衬底和在所述衬底与所述补偿区之间的缓冲层。

16.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述载体是金属引线框。

17.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述载体是印刷电路板基板的部分。

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