[实用新型]半导体器件和集成降压转换器有效
| 申请号： | 201320118095.8 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203398118U | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | M.菲莱迈耶;W.里格;M.罗施 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 集成 降压 转换器 | ||
1.一种半导体器件，包含：
漂移层（4）；
在所述漂移层(4)上的体区(7)；
在所述体区(7)上的源区(8)；
沟槽，其贯穿所述源区(8)、体区(7)并且延伸到所述漂移层(4)中；
沟槽中的场板（13）和电极（12）；
将场板（13）和电极（12）彼此分开的绝缘结构（16），
其中，场板（13）的顶面和电极（12）的底面其中至少一个是平坦的。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电极（12）的底面是平坦的。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述电极（12）的底面的最高点和最低点之间的垂直距离小于20nm。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘结构（16）具有平面，且所述平面之一的最高点和最低点之间的垂直距离小于20nm。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包含沟槽中将场板（13）与漂移层（4）绝缘的另一绝缘结构（10）。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘结构（16）包括氧化物。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场板（13）和电极（12）由高掺杂的多晶硅形成。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体器件，进一步包含电接触源区（8）和至少部分的电极（12）的互连层。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体器件，其中电极（12）是栅电极。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述互连层是金属层。
11.一种集成降压转换器，包含根据权利要求1-10中任一项所述的半导体器件。
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