[实用新型]半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件

权利要求书

1. 一种半导体部件，该半导体部件包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中的沟槽，所述沟槽由上沟槽部分和下沟槽部分构成，其中上沟槽部分比下沟槽部分窄；

位于所述沟槽中的栅电极，

其特征在于，所述栅电极的上表面的平面度小于或等于50nm。

2. 根据权利要求1所述的半导体部件，其特征在于，所述栅电极的上表面的平面度小于或等于30nm。

3. 根据权利要求1或2所述的半导体部件，其特征在于，所述半导体部件还包括位于所述沟槽中并在所述栅电极和所述沟槽的底部之间延伸的源电极。

4. 根据权利要求1或2所述的半导体部件，其特征在于，所述半导体衬底包括第一导电类型的漂移区和在所述漂移区之上的第二导电类型的体区。

5. 根据权利要求4所述的半导体部件，其特征在于，所述沟槽的上沟槽部分与下沟槽部分之间的过渡区在所述漂移区与所述体区之间的界面下方。

6. 一种垂直MOSFET，所述垂直MOSFET包括：

第一导电类型的漏区；

位于所述漏区之上的第一导电类型的漂移区；

位于所述漂移区之上的第二导电类型的体区；

位于所述体区之上的第一导电类型的源区；

从所述源区的上表面嵌入在所述源区、所述体区、所述漂移区中的沟槽，所述沟槽的底表面位于所述漂移区中，所述沟槽由上沟槽部分和下沟槽部分构成，其中上沟槽部分比下沟槽部分窄；

位于所述沟槽中的栅电极，

其特征在于，所述栅电极的上表面的平面度小于或等于50nm。

7. 根据权利要求6所述的垂直MOSFET，其特征在于，所述栅电极的上表面的平面度小于或等于30nm。

8. 根据权利要求6或7所述的垂直MOSFET，其特征在于，所述沟槽的上沟槽部分与下沟槽部分之间的过渡区在所述漂移区与所述体区之间的界面下方。

9. 根据权利要求6或7所述的垂直MOSFET，其特征在于，所述垂直MOSFET还包括位于所述沟槽中并在所述栅电极和所述沟槽的底部之间延伸的源电极。

10. 根据权利要求9所述的垂直MOSFET，其特征在于，所述垂直MOSFET进一步包括位于所述源区之上的源电极和位于所述漏区下面的漏电极，其中位于所述沟槽中的所述源电极被电连接到位于所述源区之上的所述源电极。

11. 一种IGBT结构，该IGBT结构包括：

第一导电类型的集电极区；

位于所述发射极区之上的第二导电类型的缓冲区；

位于所述缓冲区之上的第二导电类型的漂移区；

位于所述漂移区之上的第一导电类型的基极区；

位于所述基极区之上的第二导电类型的发射极区；

从所述发射极区的上表面嵌入在所述发射极区、所述基极区、所述漂移区中的沟槽，所述沟槽的底表面位于所述漂移区中，所述沟槽由上沟槽部分和下沟槽部分构成，其中上沟槽部分比下沟槽部分窄；

位于所述沟槽中的栅电极，

其特征在于，所述栅电极的上表面的平面度小于或等于50nm。

12. 根据权利要求11所述的IGBT结构，其特征在于，所述栅电极的上表面的平面度小于或等于30nm。

13. 根据权利要求11或12所述的IGBT结构，其特征在于，所述沟槽的上沟槽部分与下沟槽部分之间的过渡区在所述漂移区与所述基极区之间的界面下方。

14. 根据权利要求11或12所述的IGBT结构，其特征在于，所述IGBT结构还包括位于所述沟槽中并在所述栅电极和所述沟槽的底部之间延伸的源电极。

15. 根据权利要求14所述的IGBT结构，其特征在于，所述IGBT结构还包括位于所述发射极区之上的发射极电极和位于所述集电极区下面的集电极电极，其中位于所述沟槽中的源电极被电连接到位于所述发射极区之上的发射极电极。