[实用新型]纳米非极性面GaN锥形阵列材料有效
| 申请号： | 201320122513.0 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN203205451U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 王新中;唐飞;李世国;张宗平;何国荣;谢华 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01S5/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518172 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 极性 gan 锥形 阵列 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米非极性面GaN锥形阵列材料，包括依次层叠结合的铝酸锂衬底层、氮化镓缓冲层和氮化镓模板层以及生长在所述氮化镓模版层外表面的非极性氮化镓纳米锥，所述非极性氮化镓纳米锥呈阵列分布。
2.如权利要求1所述的纳米非极性面GaN锥形阵列材料，其特征在于：所述非极性氮化镓纳米锥根部直径为10～100nm。
3.如权利要求1所述的纳米非极性面GaN锥形阵列材料，其特征在于：所述非极性氮化镓纳米锥的高度为10～2000nm。
4.如权利要求1～3任一项所述的纳米非极性面GaN锥形阵列材料，其特征在于：所述铝酸锂衬底层的厚度为200～500μm。
5.如权利要求1～3任一项所述的纳米非极性面GaN锥形阵列材料，其特征在于：所述氮化镓缓冲层的厚度为10～100nm。
6.如权利要求1～3任一项所述的纳米非极性面GaN锥形阵列材料，其特征在于：所述氮化镓模板层的厚度为3～5μm。
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