[实用新型]一种单片式电容触摸屏有效
申请号: | 201320123110.8 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN203241965U | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 林钢;沈奕;孙楹煌;张汉焱;林德志;高忠贵;梁志宏 | 申请(专利权)人: | 汕头超声显示器技术有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 汕头市潮睿专利事务有限公司 44230 | 代理人: | 林天普;丁德轩 |
地址: | 515065 广东省汕头市龙湖区龙江*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单片 电容 触摸屏 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电容触摸屏,尤其涉及一种单片式电容触摸屏。
背景技术
电容触摸屏作为一种高效的输入装置,具有灵敏度高、触摸不需用力、容易实现多点触摸等诸多优点,已被应用在手机、平板电脑、笔记本等多种消费电子产品上。
在各种电容触摸屏中,一体式电容触摸屏(OGS, One Glass Solution)是一种较新的结构,其只需采用一片基板,而将感应电极、周边线路、装饰层等功能性或装饰性膜层都制作在该基板的背面,使得电容触摸屏的厚度和成本更低,更加符合当前消费电子产品的轻薄化发展趋势。
然而,在一体式电容触摸屏中,为了保护基板背面各个膜层,现有技术一般需要在其背面贴附一层保护膜。该保护膜不仅本身具有一定的厚度,而且其需要通过一胶层贴合在基板上,胶层本身也具有一定的厚度,由此,会使得一体式电容触摸屏的厚度无法进一步地降低。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种单片式电容触摸屏,这种单片式电容触摸屏更薄。采用的技术方案如下:
一种单片式电容触摸屏,包括基板以及设置在基板背面的感应电极、周边线路和装饰层,其特征是:还包括保护层,保护层为通过真空镀膜工艺形成的绝缘性膜层,保护层覆盖在基板背面的最外面。
在单片式电容触摸屏的基板上形成感应电极、周边线路和装饰层之后,再在基板的最外面通过真空镀膜工艺形成的绝缘性膜层作为保护层。由于保护层是通过镀膜工艺形成的,其厚度远比一般的保护膜小,无需采用胶层进行粘贴,进一步降低厚度,因此,使得这种单片式电容触摸屏更薄。
作为本实用新型的优选方案,所述保护层上设置有与周边线路外接端口相对应的缺口。在形成保护层时,在保护层与周边线路外接端口相应位置上预留缺口,使周边线路外接端口外接时更加方便。
作为本实用新型进一步的优选方案,所述保护层的厚度为50nm-500nm。
作为本实用新型进一步的优选方案,所述保护层为二氧化硅薄膜。
作为本实用新型进一步的优选方案,所述保护层为二氧化钛薄膜。
作为本实用新型进一步的优选方案,所述保护层为类金刚石碳膜。
本实用新型与现有技术相比,具有如下优点:
本实用新型由于保护层是通过镀膜工艺形成的,其厚度远比一般的保护膜小,无需采用胶层进行粘贴,进一步降低厚度,因此,使得这种单片式电容触摸屏更薄。
附图说明
图1是本实用新型优选实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和本实用新型的优选实施方式做进一步的说明。
如图1所示,这种单片式电容触摸屏,包括基板1以及设置在基板1背面的感应电极2、周边线路3、装饰层4和作为保护层5的二氧化硅薄膜6,其中二氧化硅薄膜6通过真空镀膜工艺形成在基板1背面的最外面,二氧化硅薄膜6的厚度为100nm(可在50nm-500nm范围内任意设置)。
保护层5(二氧化硅薄膜6)上设置有与周边线路3外接端口相对应的缺口7。
上述真空镀膜工艺可采用磁控溅射工艺。
上述缺口7为通过预先印刷胶层,并在镀膜之后去掉胶层所形成的。
在其它实施方式中,保护层为二氧化钛薄膜。
在其它实施方式中,保护层为类金刚石碳膜。
此外,需要说明的是,本说明书中所描述的具体实施例,其各部分名称等可以不同,凡依本实用新型专利构思所述的构造、特征及原理所做的等效或简单变化,均包括于本实用新型专利的保护范围内。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,只要不偏离本实用新型的结构或者超越本权利要求书所定义的范围,均应属于本实用新型的保护范围。
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