[实用新型]自激振荡式太阳能手机充电器的结构有效

专利信息
申请号: 201320124885.7 申请日: 2013-03-19
公开(公告)号: CN203166577U 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 金波;何斌;黄峰 申请(专利权)人: 天门格润科技发展有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02M3/338
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 431700 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 振荡 太阳能 手机 充电器 结构
【说明书】:

技术领域

发明属于手机充电器领域,特别适用于使用新能源设计手机充电器的领域,具体地说涉及一种自激振荡式太阳能手机充电器的结构。

背景技术

使用手机的人都有过这样的经历:外出时手机电池突然没有电了,因充电器不在身边或找不到可以充电的地方,影响了手机的正常使用。为了解决这一问题,本文介绍一种太阳能手机充电器,它使用太阳能电池板,经电路进行直流电压变换后给手机电池充电,并能在电池充电完成后自动停止充电。

发明内容

本发明的目的是提供一种利用太阳能电池板进行充电的自激振荡式太阳能手机充电器的结构。

本发明的技术方案如下:

提供一种自激振荡式太阳能手机充电器的结构,包括至少一个太阳能电池板,其特征在于:所述太阳能电池板连接单端反激式变换器电路的两极;所述单端反激式变换器电路包括开关管VT1、高频变压器T1、初级线圈NP、次级线圈Ns、整流二极管VD1、电容C3构成;当开关管VT1导通时,高频变压器T1初级线圈NP的感应电压为1正2负,次级线圈Ns为5正6负,整流二极管VD1处于截止状态,这时高频变压器T1通过初级线圈Np储存能量;当开关管VT1截止时,次级线圈Ns为5负6正,高频变压器T1中存储的能量通过VD1整流和电容C3滤波后向负载输出;所述单端反激式变换器电路的输出端连接自激式振荡电路,所述自激式振荡电路包括三极管VT1、 T1、R1、R3、C2构成,所述单端反激式变换器电路接入太阳能电池板后,电流经启动电阻R1流向VT1的基极,使VT1导通。VT1导通后,变压器初级线圈Np就加上输入直流电压,其集电极电流Ic在Np中线性增长,反馈线圈Nb产生3正4负的感应电压,使VT1得到基极为正,发射极为负的正反馈电压,此电压经C2、R3向VT1注入基极电流使VT1的集电极电流进一步增大,正反馈产生雪崩过程,使VT1饱和导通;在VT1饱和导通期间,T1通过初级线圈Np储存磁能;所述自激式振荡电路连接限压电路后输出限制电压至手机电池的两极;所述限压电路包括R5、R6、VD2、VT2构成,以保护手机电池不被过充电。

下面以3.6V手机电池为例,其充电限制电压为4.2V。在电池的充电过程中,电池电压逐渐上升,当充电电压大于4.2V时,经R5、R6分压后稳压二极管VD2开始导通,使VT2导通,VT2的分流作用减小了VT1的基极电流,从而减小了VT1的集电极电流Ic,达到了限制输出电压的作用。这时电路停止了对电池的大电流充电,用小电流将电池的电压维持在4.2V。 

具有本发明所述结构的充电器,结构简单,便于携带,不受外部条件限制,具有良好的市场前景。

附图说明

图1是自激振荡式太阳能手机充电器原理图;

具体实施方式

以下参照附图1对本发明作进一步地描述,但不限于以下实施例:

参见附图1,一种自激振荡式太阳能手机充电器的结构,包括四块太阳能电池板串联组成12V充电电源,该12V充电电源连接单端反激式变换器电路的两极;所述单端反激式变换器电路包括开关管VT1、高频变压器T1、初级线圈NP、次级线圈Ns、整流二极管VD1、电容C3;当开关管VT1导通时,高频变压器T1初级线圈NP的感应电压为1正2负,次级线圈Ns为5正6负,整流二极管VD1处于截止状态,这时高频变压器T1通过初级线圈Np储存能量;当开关管VT1截止时,次级线圈Ns为5负6正,高频变压器T1中存储的能量通过VD1整流和电容C3滤波后向负载输出;所述单端反激式变换器电路的输出端连接自激式振荡电路,所述自激式振荡电路包括三极管VT1、 T1、R1、R3、C2,所述单端反激式变换器电路接入太阳能电池板后,电流经启动电阻R1流向VT1的基极,使VT1导通;VT1导通后,变压器初级线圈Np就加上输入直流电压,其集电极电流Ic在Np中线性增长,反馈线圈Nb产生3正4负的感应电压,使VT1得到基极为正,发射极为负的正反馈电压,此电压经C2、R3向VT1注入基极电流使VT1的集电极电流进一步增大,正反馈产生雪崩过程,使VT1饱和导通;在VT1饱和导通期间,T1通过初级线圈Np储存磁能;所述自激式振荡电路连接限压电路后输出限制电压至手机电池的两极而得到3.6伏的电压;所述限压电路包括R5、R6、VD2、VT2,以保护手机电池不被过充电。

进一步参见附图1,根据电路图选择合适的元器件,其中 VT1要求Icm>0.5A,hEF为50-100,可用2SC2500、2SC1008等,VD1为稳压值为3V的稳压二极管。 了

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