[实用新型]一种发光二极管电极结构

说明书

技术领域

本实用新型属于发光二极管制造技术领域，具体涉及一种发光二极管电极结构及其制造工艺。

背景技术

发光二极管由于具备有寿命长、体积小、发热量低、耗电量少、反应速度快、无幅射及单色性发光之特性及优点，因此被广泛应用于指示灯、广告广告牌、交通号志灯、汽车车灯、显示器面板、通讯器具、消费电子等各项产品中。

现有技术中的发光二极管结构如图2所示，主要由n电极层、发光组件、p电极层和p焊盘层构成，其中P电极结构只包括p电极层和p焊盘，由于p电极层和p焊盘在生产时是分开来制造，这样就会造成对准误差，增加产品的不良率。

发明内容

实用新型目的：本实用新型的目的是为了解决现有技术中的不足，提供一种可提高生产效率且降低产品不良率的发光二极管电极结构及其制造工艺。

技术方案：本实用新型所述的一种发光二极管电极结构，包括发光组件，所述发光组件下方设有n电极层，所述发光组件上方设有p电极层，所述p电极层上方设有p焊盘，所述p电极层与p焊盘之间设有阻障层。

作为优选，所述阻障层的厚度为0.1～1μm。

作为优选，所述阻障层采用钛、钨、钽、钼上述材料的合金阻障层、或上述材料的硅化合物阻障层、氮化合物阻障层或硅氮化合物阻障层。

作为优选，所述p电极层为金锌合金电极、金铍合金电极或钛铂合金电极。

作为优选，所述p焊盘为钛和铝的合金电极、钛和金的合金电极或钛、铝和金的合金电极，所述p焊盘的总厚度为0.5~3.0μm。

有益效果：本实用新型在现有发光二极管P电极结构中的p电极层与焊盘之间增加了阻障层，减小了对准的误差，使得p电极层、阻障层与p焊盘完全对齐，因此提高了生产效率且降低了产品的不良率。

附图说明

图1为本实用新型一个实施例的结构示意图。

图2为现有技术中发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示的一种发光二极管电极结构，包括发光组件2，发光组件2下方设有n电极层1，发光组件2上方设有p电极层3，p电极层3上方设有p焊盘5，p电极层3与p焊盘5之间设有阻障层4，阻障层4的厚度为0.1～1μm，阻障层4采用钛、钨、钽、钼上述材料的合金阻障层，例如TiW、TaW，或上述材料的硅化合物、氮化合物或硅氮化合物，例如TiN、WN、TaN、TaSiN、WSiN、TWN，p电极层3为金锌合金、金铍合金或钛铂合金材料，p焊盘5为钛和铝的合金、钛和金的合金或钛、铝和金的合金材料，p焊盘5的总厚度为0.5~3.0μm。这种发光二极管电极结构包括三种不同的生产工艺，第一种工艺包括如下步骤：

（1）在半导体迭层的窗口层上沉积p电极层材料；

（2）在p电极层上沉积阻障层材料；

（3）微影：在透光衬底的一个表面涂布感光材料；在该表面的上方放置光罩，该光罩上设有与所述图案相同的图案；曝光：使平行光经过光罩对感光材料进行选择性的曝光，使光罩的图案完整的转移至透光衬底的表面上；显影，使感光材料获得与光罩图案相同或互补的图案；

（4）在阻障层上沉积p焊盘材料；

（5）使用托举(Lift-off)制程, 定义p焊盘图案；

（6）干式蚀刻：以p焊盘材料为硬屏蔽(hard mask)进行干式蚀刻，使得P电极结构产生一个与光罩图案相同或互补的图案；

（7）进行退火工序以得到奥姆接触：退火的工序在300-550℃的炉管中10秒至3分钟或快速热退火炉1秒至1分钟中执行。

第二种工艺包括如下步骤：

（1）在半导体迭层的窗口层上沉积p电极层材料；

（2）在p电极层上沉积阻障层材料；

（3）在阻障层上沉积p焊盘材料；

（4）微影：在透光衬底的一个表面涂布感光材料；在该表面的上方放置光罩，该光罩上设有与所述图案相同的图案；曝光：使平行光经过光罩对感光材料进行选择性的曝光，使光罩的图案完整的转移至透光衬底的表面上；显影，使感光材料获得与光罩图案相同或互补的图案；

（5）干式蚀刻：对所述感光材料进行干式蚀刻，使得所述P电极结构产生一个与光罩图案相同或互补的图案；

（6）进行退火工序以得到奥姆接触：退火的工序在300-550℃的炉管中10秒至3分钟或快速热退火炉1秒至1分钟中执行。

第三种工艺包括如下步骤：