[实用新型]一种基于磁电耦合抵消技术的宽阻带LTCC带通滤波器

权利要求书

1.基于磁电耦合抵消技术的宽阻带LTCC带通滤波器，其特征在于包括四层介质基板和四层导体层，四层介质基板从上到下依次为第一介质板（1）、第二介质板（2）、第三介质板（3）和第四介质板（4），所述的四层介质基板均为LTCC陶瓷介质基板；所述第一导体层印制于第一介质基板（1）上表面，第二导体层印制于第二介质基板（2）上表面，第三导体层印制于第三介质基板（3）上表面，第四导体层印制于第四介质基板（4）上表面。

2.根据权利要求1所述的基于磁电耦合抵消技术的宽阻带LTCC带通滤波器，所述第一导体层由一对结构相同的馈电结构组成，这对结构相同的馈电结构呈镜像对称，每一个馈电结构包括一块馈电贴片（5）、一个CPW馈电口（6）和一个L型金属微带线（7），L型金属微带线（7）连接在馈电贴片（5）靠近前述镜像对称中心的一侧，并与对称中心另一侧的L型金属微带线（7）构成源负载耦合，源负载耦合在滤波器通带左边产生了一个传输零点；CPW馈电口通过接地金属化过孔（11）连接到第三导体层（9）。

3.根据权利要求1所述的基于磁电耦合抵消技术的宽阻带LTCC带通滤波器，其特征在于第二导体层和第四导体层上分布有两个四分之一波长谐振器；每个四分之一波长谐振器均有一部分位于第二导体层，另一部分位于第四导体层上，这两部分通过第二金属化过孔（13）相连，金属化过孔（13）穿过位于第三导体层上的开孔（14），且金属化过孔（13）不与第三导体层直接接触；四分之一波长谐振器的短路端位于第二导体层且通过第一金属化过孔（12）连接到第三导体层；所述两个四分之一波长谐振器在第二导体层和第四导体层上均呈镜像对称分布，位于同一导体层上的四分之一波长谐振器部分通过边耦合产生磁电耦合，四分之一波长谐振器在第二导体层上的耦合部分为谐振器短路端，以磁耦合为主；四分之一波长谐振器在第四导体层上的耦合部分为谐振器开路端，以电耦合为主。

4.根据权利要求3所述的基于磁电耦合抵消技术的宽阻带LTCC带通滤波器，所述第三导体层为金属地板（9），第三导体层上有两个开孔（14）供所述金属化过孔（13）穿过，并且金属化过孔（13）和金属地板之间留有间隙。