[实用新型]TCO透明导电膜的低温沉积装置

权利要求书

1.TCO透明导电膜的低温沉积装置，其特征在于，包括至少一对设于真空镀膜室内的阴极组，各对阴极组分布于基片的一侧或者两侧，每对阴极组独立配置一个中频交流电源或者双极脉冲电源；各对阴极组分别包括两个溅射阴极，各溅射阴极分别包括靶材、阴极体和磁铁，靶材固定在阴极体上，阴极体设于基片的侧面，在阴极体内设置多个并排分布的磁铁，各磁铁的两极端面分别与靶材和阴极体内的导磁块垂直连接；相邻两个磁铁之间磁极性相反。

2.根据权利要求1所述TCO透明导电膜的低温沉积装置，其特征在于，所述阴极组的两个溅射阴极为对向结构形式，即两个溅射阴极正对向分布；两个溅射阴极中的磁铁一一对应，而相对应的两个磁铁磁极性相反。

3.根据权利要求2所述TCO透明导电膜的低温沉积装置，其特征在于，所述各对阴极组并排分布于基片运行通道的侧面，各对阴极组中的两个溅射阴极分别对称位于基片运行通道的两侧；而布置在同一侧相邻的两个溅射阴极内的磁铁磁极相反。

4.根据权利要求1所述TCO透明导电膜的低温沉积装置，其特征在于，所述阴极组中的两个溅射阴极为孪生排列结构，即两个溅射阴极并排设于基片运行通道的同一侧；两个阴极体中的磁铁并排分布，但相邻两个位于不同溅射阴极内的磁铁之间的磁极相反。

5.根据权利要求4所述TCO透明导电膜的低温沉积装置，其特征在于，所述各阴极组分布于基片运行通道的同一侧，相邻的两对阴极组间，相邻两个溅射阴极的阴极体内的磁铁之间的磁极磁性相同。

6.根据权利要求4所述TCO透明导电膜的低温沉积装置，其特征在于，所述多个阴极组交叉分布于基片运行通道的两侧，即位于基片两侧的多个溅射阴极呈交叉分布；分别位于基片两侧的相邻两个阴极组中，相邻两个位于不同阴极组内且分别位于基片两侧的磁铁之间，与靶材连接的一端磁极磁性相反。

7.根据权利要求4所述TCO透明导电膜的低温沉积装置，其特征在于，所述多个阴极组对称分布于基片的两侧，即位于基片两侧的多个溅射阴极一一对应；位于基片同一侧的相邻两个阴极组中，相邻两个位于不同阴极组内的磁铁之间，与靶材连接的一端磁极磁性相同；分别位于基片两侧且相对应的两个溅射阴极中，相对应的两个磁铁之间，与靶材连接的一端磁极磁性相反。

8.根据权利要求1所述TCO透明导电膜的低温沉积装置，其特征在于，所述溅射阴极为平面阴极或圆柱旋转阴极。