[实用新型]光源装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及光源装置,尤指一种使用反射杯的光源装置。

背景技术

传统杯状聚光灯采用钨丝，因能量转换效率低、寿命不长等问题，故目前已有以发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)取代钨丝作是发光源的聚光灯。光束自LED的量子阱(Quantum Well)产生，由于芯片折射率高，可射出LED芯片的光束，角度分布会大致成朗伯分布(lambertian distribution)，再利用二次光学透镜作光束集中。由于公知LED芯片封装时采用不透光的基板制作，LED只能单面发光，故仅有约一半的光束可射出LED芯片，造成能量浪费。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是:为了弥补现有技术的不足,提供一种光源装置，其发光组件的两侧均可射出光束而射至反射杯，从而减少光束衰减，进而有效提升所述光源装置的出光效率。

本实用新型的光源装置采用以下技术方案:

本实用新型的光源装置包含一反射杯及设置于反射杯内的至少一发光组件。所述反射杯具有一开口，所述开口具有一开口方向。发光组件包括一透光基板、至少一发光芯片及一电极电路。发光芯片包括一第一出光面与一第二出光面，其中第一出光面是以覆晶方式结合于所述透光基板。发光芯片提供一第一光束与一第二光束，且第一光束自第一出光面射出，第二光束自第二出光面射出。电极电路形成于透光基板上并与发光芯片电连接。其中，第一光束自第一出光面射出后穿过透光基板离开至发光组件，并被反射杯反射以经由开口射出反射杯，且第二光束朝远离透光基板的方向离开至发光组件，并被反射杯反射以经由开口射出反射杯。因此，可减少自发光芯片的发光层两侧产生的光束在发光芯片内部的反射次数，有效提升发光芯片的发光效率。相较于公知技术中在发光芯片底部设置反射层反射光束的情形，本实用新型中的发光芯片表面未铺设反射层，因此所产生的光束未受反射层反射，降低光束于发光芯片内的行进路径，故光束于发光芯片内的衰减得以尽可能的缩小，进一步提升所述发光芯片的出光效率。再者，由于发光组件的两侧均可射出光束而射至反射杯，发光面积增加，且其光轴不与反射杯的开口方向平行，相较于传统单一侧发光的发光组件的光轴与反射杯开口方向平行的光源装置，可使更多光束受反射杯的光学结构所分配，从而改善光源装置提供的光束的准直性与均旋光性。

关于本实用新型的优点与精神可以透过以下的实用新型详述及所附附图得到进一步的了解。

附图说明

图1是本实用新型的实施例一的光源装置的俯视图;

图2是图1中光源装置沿X-X线的剖面图;

图3是图1中光源装置的发光组件的示意图;

图4是本实用新型的实施例二的光源装置的俯视图;

图5是图4中光源装置沿Y-Y线的剖面图;

图6是本实用新型的实施例三的光源装置的俯视图;

图7是本实用新型的实施例四的光源装置的俯视图;

图8是图7中光源装置沿Z-Z线的剖面图;

图9是本实用新型的实施例五的光源装置的俯视图;

图10是本实用新型的实施例六的光源装置的俯视图;

图11是本实用新型的实施例七的发光组件的示意图。

其中，附图标记说明如下：

1、3、4、5、6、7     光源装置

10    反射杯          12、22   发光组件

14    连接座          32       扩散罩

52    锐角            100      开口

102   开口方向        120      透光基板

122   半导体发光芯片  124、126 覆盖层

128   电极电路        128a     接脚

224   色转换层        1220     发光层

1220a 第一侧          1220b    第二侧

1222  第一出光面      1224     第二出光面

1226  第一电极        1228     第二电极

L20、L22  光束

具体实施方式